高分子化合物及使用该高分子化合物的发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种高分子化合物，其包含：下述式(1)所示的结构单元，以及下述式(X)所示的结构单元和/或下述式(Y)所示的结构单元；其中高分子化合物中所含羟基的含量小于0.02摩尔％；[式中，Ar1表示亚芳基，该基团可具有取代基][式中，aX1及aX2分别独立表示0以上的整数；ArX1、ArX2、ArX3及ArX4表示亚芳基等][式中，ArY1表示亚芳基等]。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高分子化合物及使用该高分子化合物的发光元件。
技术介绍
有机电致发光元件等发光元件，由于发光效率高、驱动电压低，能够适宜地用于显示器的用途，近年来备受瞩目。该发光元件具备发光层、电荷传输层等有机层。通过使用高分子化合物，可通过以喷墨印刷法为代表的涂布法形成有机层，因此正研究用于发光元件的制造的高分子化合物。作为用于发光元件制造的高分子化合物，例如已知有包含由芴(fluorene)所衍生的结构单元以及由芳基胺所衍生的结构单元的高分子化合物，该高分子化合物在钯催化剂及碱的存在下，使作为原料单体的有机硼化合物及有机卤素化合物缩聚而制造(专利文献1及2)。现有技术文献专利文献专利文献1：特表2001-520289号公报专利文献2：特表2002-536492号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题然而，使用上述专利文献1及2记载的高分子化合物所制造的发光元件，亮度寿命未必充分。因此，本专利技术的目的在于提供一种可用于亮度寿命优异的发光元件的制造的高分子化合物。解决的技术问题的手段本专利技术人等发现高分子化合物中所含羟基的含量会影响发光元件的亮度寿命，同时发现了可减少高分子化合物中所含羟基的含量的制造方法，从而完成了本专利技术。本专利技术，第一方面提供：一种高分子化合物，其包含：下述式(1)所示的结构单元，以及下述式(X)所示的结构单元和/或下述式(Y)所示的结构单元(其中，不同于式(1)所示的结构单元)(即，下述式(X)所示的结构单元、下述式(Y)所示的结构单元(其中，不同于式(1)所示的结构单元)、或下述式(X)所示的结构单元及下述式(Y)所示的结构单元的两者)的高分子化合物；且，包含于高分子化合物的羟基的含量小于0.02摩尔％。[式中，Ar1表示亚芳基，该基团可具有取代基。][式中，aX1及aX2分别独立表示0以上的整数；ArX1及ArX3分别独立表示亚芳基或2价的杂环基，这些基团可具有取代基；ArX2及ArX4分别独立表示亚芳基、2价杂环基或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而成的2价基团，这些基团可具有取代基；存在多个ArX2及ArX4时，它们分别可以相同，也可以不同；RX1、RX2及RX3分别独立表示烷基、芳基或1价杂环基，这些基团可具有取代基；存在多个RX2及RX3时，它们分别可以相同，也可以不同。][式中，ArY1表示亚芳基、2价杂环基或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而成的2价基团，这些基团可具有取代基。]本专利技术，第二方面提供：上述高分子化合物的制造方法，其包含下述式(M-1)所示的化合物，以及下述式(M-X)所示的化合物和/或下述式(M-Y)所示的化合物(其中，不同于式(M-1)所示的化合物)(即，下述式(M-X)所示的化合物、下述式(M-Y)所示的化合物(其中，不同于式(1)所示的化合物)、或下述式(M-X)所示的化合物及下述式(M-Y)所示的化合物的两者)，在氧气浓度小于0.5％的条件下进行缩聚的工序。ZC1-Ar1-ZC2(M-1)[式中，Ar1、aX1、aX2、ArX1、ArX3、ArX2、ArX4、RX1、RX2、RX3及ArY1表示与上述相同的意义。ZC1、ZC2、ZC3、ZC4、ZC5及ZC6分别独立表示选自由取代基A组及取代基B组所组成的组中的基团。]<取代基A组>氯原子、溴原子、碘原子及-O-S(＝O)2RC1(式中，RC1表示烷基或芳基，这些基团可具有取代基。)所示的基团。<取代基B组>-B(ORC2)2(式中，RC2表示氢原子、烷基或芳基，这些基团可具有取代基。存在多个RC2时，可为相同也可为不同，也可互相连结而与分别键合的氧原子一起形成环。)所示的基团、-BF3Q’(式中Q’表示Li、Na、K、Rb或Cs。)所示的基团、-MgY’(式中Y’表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团、-ZnY”(式中Y”表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团、以及-Sn(RC3)3(式中，RC3表示氢原子、烷基或芳基，这些基团可具有取代基。存在多个RC3时，可为相同也可为不同，也可互相连结而与各自键合的锡原子一起形成环。)所示的基团。本专利技术，第三方面提供：上述高分子化合物的制造方法，其包含：在上述式(M-1)所示的化合物以及上述式(M-X)所示的化合物和/或上述式(M-Y)所示的化合物(其中，不同于上述式(M-1)所示的化合物)(即，下述式(M-X)所示的化合物、下述式(M-Y)所示的化合物(其中，不同于式(1)所示的化合物)、或下述式(M-X)所示的化合物及下述式(M-Y)所示的化合物的两者)进行缩聚的工序后，再使下述式(2)所示的化合物反应的工序。R21-X21(2)[式中，R21表示-C(R22)3所示的基团、-Si(R22)3所示的基团或-Ge(R22)3所示的基团。R22表示氢原子、烷基、芳基或1价杂环基，这些基团可具有取代基。存在多个R22时，可为相同也可为不同，也可与各自键合的原子一起形成环。X21表示氯原子、溴原子或碘原子。]本专利技术，第四方面提供：一种组合物，其含有：上述高分子化合物以及选自由空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂及溶剂所成的组的至少1种材料的组合物。本专利技术，第五方面提供：一种发光元件，其具有：阳极、阴极以及设置于阳极与阴极之间的发光层，发光层使用上述高分子化合物所得的层。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种可用于亮度寿命优异的发光元件的制造的高分子化合物。附图说明图1是表示包含于高分子化合物的羟基的含量与标准化的LT75(即直至亮度达到初期亮度的75％的时间)的关系的图，分别表示相对于发光元件D1的发光元件D2以及发光元件CD1(将发光元件D1的LT75标准化为1.00)、相对于发光元件D4的发光元件CD2(将发光元件D4的LT75标准化为1.00)以及相对于发光元件D5的发光元件D6、发光元件CD3、发光元件CD4及发光元件CD5(将发光元件D5的LT75标准化为1.00)的图。需要说明的是，对于羟基的含量小于0.01摩尔％的高分子化合物，羟基的含量表示为0.01摩尔％。具体实施方式<共同使用的用语>以下，本说明书中共同使用的用语在无特别记载下为以下的意思。Me表示甲基，Et表示乙基，i-Pr表示异丙基，n-Bu表示正丁基，t-Bu表示叔丁基。本说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子化合物，其包含下述式(1)所示的结构单元，以及下述式(X)所示的结构单元和/或下述式(Y)所示的结构单元(其中，不同于式(1)所示的结构单元)，且高分子化合物中所含羟基的含量小于0.02摩尔％，式中，Ar1表示亚芳基，该基团也可具有取代基，式中，aX1及aX2分别独立地表示0以上的整数，ArX1及ArX3分别独立地表示亚芳基或2价杂环基，这些基团也可具有取代基，ArX2及ArX4分别独立地表示亚芳基、2价杂环基或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而成的2价基团，这些基团也可具有取代基，存在多个ArX2及ArX4时，它们分别可以相同，也可以不同，RX1、RX2及RX3分别独立地表示烷基、芳基或1价杂环基，这些基团也可具有取代基，存在多个RX2及RX3时，它们分别可以相同，也可以不同，式中，ArY1表示亚芳基、2价杂环基或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而成的2价基团，这些基团也可具有取代基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.11 JP 2013-1880091.一种高分子化合物，其包含下述式(1)所示的结构单元，以及下述式(X)所示的结构
单元和/或下述式(Y)所示的结构单元(其中，不同于式(1)所示的结构单元)，
且高分子化合物中所含羟基的含量小于0.02摩尔％，
式中，Ar1表示亚芳基，该基团也可具有取代基，
式中，aX1及aX2分别独立地表示0以上的整数，ArX1及ArX3分别独立地表示亚芳基或2价杂
环基，这些基团也可具有取代基，ArX2及ArX4分别独立地表示亚芳基、2价杂环基或至少1种
亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而成的2价基团，这些基团也可具有取代基，存在多个
ArX2及ArX4时，它们分别可以相同，也可以不同，
RX1、RX2及RX3分别独立地表示烷基、芳基或1价杂环基，这些基团也可具有取代基，存在
多个RX2及RX3时，它们分别可以相同，也可以不同，
式中，ArY1表示亚芳基、2价杂环基或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而成
的2价基团，这些基团也可具有取代基。
2.如权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述式(1)所示的结构单元为下述式(1-1)
或(1-2)所示的结构单元，
式中，R1表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，这些基团可具有取代基，存在多
个R1时，可以相同，也可以不同，相邻的R1彼此也可互相键合而与各自键合的碳原子一起形
成环，
式中，R1表示与上述相同的意义，
X1表示-C(R2)2-、-C(R2)＝C(R2)-或-C(R2)2-C(R2)2-所示的基团，R2表示氢原子、烷基、烷
氧基、芳基或1价杂环基，这些基团也可具有取代基，存在多个R2时，可以相同，也可以不同，
R2彼此也可互相键合而与各自键合的碳原子一起形成环。
3.如权利要求1或2所述的高分子化合物，其中，所述式(X)所示的结构单元为下述式
(X-1)、(X-2)、(X-3)、(X-4)、(X-5)、(X-6)或(X-7)所示的结构单元，
式中，RX4及RX5分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、氟原子、1价杂环基
或氰基，这些基团可具有取代基，存在多个RX4时，可以相同，也可以不同，存在多个RX5时，可
以相同，也可以不同，相邻的RX5彼此也可互相键合而与各自键合的碳原子一起形成环。
4.如权利要求1～3中任一项所述的高分子化合物，其中，所述式(Y)所示的结构单元为
下述式(Y-3)、(Y-4)、(Y-5)、(Y-6)或(Y-7)所示的结构单元，
式中，RY1表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，这些基团可具有取代基，存在多
个RY1时，可以相同，也可以不同，相邻的RY1也可彼此互相键合而与各自键合的碳原子一起
形成环，
RY3表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，这些基团可具有取代基，
式中，RY1表示与上述相同的意义，
RY4表示烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，这些基团可具有取代基。
5.如权利要求1～4中任一项所述的高分子化合物，其中，高分子化合物中所含氯原子
的含量小于10ppm。
6.如权利要求1～5中任一项所述的高分子化合物，其中，高分子化合物中所含溴原子
的含量小于10ppm。
7.如权利要求1～6中任一项所述的高分子化合物，其中，高分子化合物中所含钯原子
的含量小于100ppm。
8.如权利要求1～7中任一项所述的高分子化合物，其中，高分子化合物中所含磷原子
的含量小于100ppm。
9.一种权利要求1～8中任一项所述的高分子化合物的制造方法，包含：
使下述式(M-1)所示的化合物、与下述式(M-X)所示的化合物和/或下述式(M-Y)所示的
化合物(其中，不同于式(M-1)所示的化合物)，在氧气浓度小于0.5％的条件下进行缩聚的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柿本秀信，增井希望，中谷智也，飞田宪之，八文字保孝，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP