提高硅基薄膜太阳能电池光电转换效率的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高硅基薄膜太阳能电池光电转换效率的方法，包括：在玻璃或其它透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜；在透明导电氧化物薄膜表面依次沉积多结微晶硅或非晶硅电池；在电池表面沉积背电极形成电池芯片；所述方法还包括对所述电池芯片进行热处理和层压封装的步骤。本发明专利技术的方法能够减少制造过程中氧及水蒸汽等对微晶硅电池的污染，同时改善背电极欧姆接触，减少串联电阻，进一步光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏太阳能电池
，特别涉及一种。
技术介绍
在光伏电池领域，硅基薄膜太阳电池因其原材料储量丰富、无污染、制备工艺简单及耗能低、便于大面积连续化生产等优点，受到广泛关注。微晶硅介于非晶硅与晶体硅之间，微结构有序性也得到了提高，基本不存在光致衰退效应，微晶硅太阳电池的稳 定性也得到了很大的改善，因此，微晶硅被认为是一种非常具有发展前景的光伏材料。此外，微晶硅可以与非晶硅叠加在一起，构成非晶硅微晶硅叠层电池，可将电池光谱响应长波限从目前非晶硅单结太阳电池的0.9 μ m扩展到1.Ιμ ，能更充分地利用太阳光谱，提高硅薄膜电池的转换效率，有广泛的应用前景。但是比起非晶硅与单晶硅的均匀分布，微晶硅材料的结构更加复杂，它包含着晶粒、晶界、非晶组织与微空洞。由于微晶硅材料不像非晶硅那样致密，其在制备过程中很容易吸附来自反应源气体或本底真空中的残留的氧及水蒸气等成分，使材料发生后氧化现象，进而使电池的性能变差。在硅基薄膜电池中，背反射电极能使透过电池到达背电极的那部分光再反射回来，进行二次吸收，这样可以增加i层的光吸收从而提高电池效率。但是背反射电极的加入会增加串联电阻值，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高硅基薄膜太阳能电池光电转换效率的方法，包括：在玻璃或其它透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜；在透明导电氧化物薄膜表面依次沉积多结微晶硅或非晶硅电池；在电池表面沉积背电极形成电池芯片；所述方法还包括对所述电池芯片进行热处理和层压封装的步骤。

【技术特征摘要】
1.一种提高硅基薄膜太阳能电池光电转换效率的方法，包括: 在玻璃或其它透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜； 在透明导电氧化物薄膜表面依次沉积多结微晶硅或非晶硅电池； 在电池表面沉积背电极形成电池芯片； 所述方法还包括对所述电池芯片进行热处理和层压封装的步骤。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述热处理的步骤在层压封装步骤之前。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述热处理的步骤在层压封装步骤之后。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述热处理的步骤在层压封装步骤之前和之后。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述热处理步骤的温度在60-250°C。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述热处理步骤的时间为20-1000分钟。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲铭浩，胡安红，汝小宁，张津燕，徐希翔，
申请(专利权)人：福建铂阳精工设备有限公司，
类型：发明
国别省市：