功率半导体器件的背面集电极结构制造技术

本发明专利技术涉及一种功率半导体器件的背面集电极结构，按照本发明专利技术提供的技术方案，所述功率半导体器件的背面集电极结构，在N导电类型硅衬底的背面设有P导电类型氮化镓层，在P导电类型氮化镓层的背面设有集电极。本发明专利技术在器件的背面制作异质结结构提高注入效率，可以改善器件的导通压降，异质结界面缺陷较多，可以形成复合中心减少载流子寿命，改善关断特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体器件
，尤其是一种功率半导体器件的背面集电极结构。
技术介绍
中国专利申请号:201010554510.5，在LED外延生长的过程中，对GaN材料进行沉积。接着，当LED外延生长完成后，进行透明电极层的沉积。然后，将沉积后的透明电极层制作成网格状层。通过网格状的高介电常数透明电极层的存在，令其作为电流扩展层和应力缓冲层。申请专利号:200480038612.4，提供一种具有异质结的半导体器件。该器件包括衬底和至少一个纳米结构。衬底和纳米结构由不同的材料构成。衬底可以由例如IV族半导体材料构成，而纳米结构可以由II1-V族半导体材料构成。纳米结构由衬底支撑并与其有外延关系。纳米结构可以是诸如栅极-环绕-晶体管器件的电子器件的功能部件。在栅极-环绕-晶体管的实施例中，纳米线由衬底支撑，衬底是漏极，纳米线是电流沟道，并且顶部金属接触是源极。薄栅极电介质将纳米线与栅电极分开。异质材料由于晶格不匹配，生长容易产生缺陷，技术控制不好会对器件的性能影响较大。新材料带来的后续欧姆接触问题相对于现有的Si工艺不成熟，可能会导致背金工艺比原工艺复杂或出现可靠性问题。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率半导体器件的背面集电极结构，其特征是：在N导电类型硅衬底（1）的背面设有P导电类型氮化镓层（2），在P导电类型氮化镓层（2）的背面设有集电极（3）。

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件的背面集电极结构，其特征是:在N导电类型硅衬底(I)的背面设有P导电类型氮化镓层(2 )，在P导电类型氮化镓层(2 )的背面设有集电极(3 )。2.如权利要求1所述的功率半导体器件的背面集电极结构，其特征是:在N导电类型硅衬底(I)与氮化镓层(2)之间设有第一缓冲层(4)，所述第一缓冲层(4)为N导电类型硅缓冲层。3.如权利要求2所述的功率半导体器件的背面集电极结构，其特征是:在第一缓冲层(4)与P...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏，朱阳军，邱颖斌，徐承福，吴凯，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，中国科学院微电子研究所，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：