非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管制造技术

提供非晶氧化物半导体，其包括铟（In）和锌（Zn）中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧（OEX）和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非晶氧化物半导体、使用该非晶氧化物半导体膜的薄膜晶体管以及制造该薄膜晶体管的方法。
技术介绍
近年来，使用金属氧化物半导体薄膜的半导体器件引人瞩目。这些薄膜的特征在于能在低温下形成，并且具有大的光学带隙以致对于可见光透明。因此，可以在塑料基板、膜基板等上形成柔性透明薄膜晶体管(TFT)等(美国专利N0.6727522)。以往，为了控制膜的电特性，用作TFT活性层的氧化物半导体膜一般在其中引入了氧气的气氛中形成。例如，美国专利申请公开N0.2007/0194379公开了形成薄膜晶体管(TFT)的方法，其中使用含有铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn-O)的η-型氧化物半导体作为沟道层并且使用铟锡氧化物(ITO)作为源电极和漏电极。在美国专利申请公开N0.2007/0194379中记载的成膜方法中，通过控制其中形成In-Ga-Zn-O膜的气氛中的氧分压来控制载流子密度，由此得到高载流子迁移率。此外，日本专利申请公开N0.2007-073697公开了作为使用上述氧化物半导体膜作为沟道层的制造高性能薄膜晶体管方法，在溅射中的氛围气中包括水蒸汽的技术。另外，美国专利申请公开N0.20本文档来自技高网...

【技术保护点】
非晶氧化物半导体，其含有氢、铟（In）和锌（Zn），其中：该非晶氧化物半导体含有大于1×1020cm?3且小于等于1×1022cm?3的氢原子和氘原子中的一种；并且该非晶氧化物半导体的载流子电子密度小于等于1×1018cm?3。

【技术特征摘要】
2008.08.28 JP 2008-2198881.非晶氧化物半导体，其含有氢、铟(In)和锌(Zn)，其中: 该非晶氧化物半导体含有大于IX 102°cm_3且小于等于IXlO22cnT3的氢原子和氘原子中的一种；并且 该非晶氧化物半导体的载流子电子密度小于等于IX 1018cnT3。2.根据权利要求1的非晶氧化物半导体，其中该非晶氧化物半导体中含有的过剩氧(Oex)大于等于 5 X IO19cnT3。3.根据权利要求1的非晶氧化物半导体，其中该非晶氧化物半导体还包括镓(Ga)和锡(Sn)中的至少一种。4.薄膜晶体管，其包括基板、沟道层、栅极绝缘层、源电极、漏电极和栅电极， 其中该沟道层包括根据权利要求1 3的任一项的非晶氧化物半导体作为该层的至少一部分。5.显示装置，其包括显示器件和用于驱动该显示器件的根据权利要求4的薄膜晶体管。6.根据权利要求5的显示装置，其中该显示器件是有机电致发光器件或液晶器件。7.制造薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管包括沟道层、栅极绝缘层、源电极、漏电极和栅电极，该沟道层包括含有铟(In)和锌(Zn)的非晶氧化物半导体，该方法包括: 通过使用含水蒸汽的成膜气体的溅射形成含有大于I X 102°cm_3且小于等于I X IO2...

【专利技术属性】
技术研发人员：林享，大村秀之，云见日出也，重里有三，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：