温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种功率半导体器件的背面集电极结构，按照本发明提供的技术方案，所述功率半导体器件的背面集电极结构，在N导电类型硅衬底的背面设有P导电类型氮化镓层，在P导电类型氮化镓层的背面设有集电极。本发明在器件的背面制作异质结结构提高注入效率，...该专利属于江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。