一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件技术

本发明专利技术公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三电极层是Ti金属层，第四电极层是热惰性金属层。其制备方法包括在n型宽带隙半导体基底表面制备出电极图案，再采用真空热电子束蒸发或溅射法在基底上依次沉积Ti金属、Ni金属、Ti金属和热惰性金属层。本发明专利技术可以提供n型宽带隙半导体基底上具有低接触电阻率、热稳定性和热平整性的欧姆接触电极，及具有该欧姆接触电极的半导体元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种置于η型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。
技术介绍
半导体的发展分别经历了硅、锗元素第一代半导体材料，砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)等化合物第二代半导体材料,氧化锌(ZnO)、金刚石、碳化娃(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和硫化锌(ZnS)为代表的第三代半导体材料。相对于第一、第二代半导体材料，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽带隙半导体材料(禁带宽度大于2.2 eV)，也成为高温半导体材料。GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaN LED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。蓝色发光器件在高密度光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极，其特征在于：所述的电极包括置于n型宽带隙半导体基底(1)上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层(2)是Ti金属层，第二电极层(3)是Ni金属层，第三电极层(4)是Ti金属层，第四电极层(5)是热惰性金属层。

【技术特征摘要】
1.一种置于η型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极，其特征在于:所述的电极包括置于η型宽带隙半导体基底(I)上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层(2)是Ti金属层，第二电极层⑶是Ni金属层，第三电极层⑷是Ti金属层，第四电极层(5)是热惰性金属层。2.根据权利要求1所述的欧姆接触电极，其特征在于:所述的热惰性金属层选自Au金属层、Pt金属层、Pd金属层、Ir金属层中的任意一种。3.根据权利要求1所述的欧姆接触电极，其特征在于:所述的η型宽带隙半导体基底(I)选自块状η型宽带隙半导体、η型宽带隙半导体薄膜、η型宽带隙半导体纳米结构。4.根据权利要求1-3任一项所述的欧姆接触电极，其特征在于:所述的η型宽带隙半导体选自η型ΖηΟ、η型ZnMgO、n型ZnBeO、n型金刚石、η型SiC、n型GaN、n型AlGaN、n型Α1Ν、η 型 ZnS05.根据权利要求1-3任一项所述的欧姆接触电极，其特征在于:所述的第一电极层(2)的厚度为20 70 nm，第二电极层(3)的厚度为30 60 nm，第三电极层(4)的厚度为10 70 nm,第四电极层(5)的厚度为20 90 nm。6.一种置于η型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于包括如下步骤: 清洗η型宽带隙半导体基底(I)并吹干； 在清洗好的η型宽带隙半导体基底(I)上覆盖上带有电极图案的掩模版； 在η型宽带隙半导体基底(I)上依次生长第一电极层(2)、第二电极层(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢洋藩，顾建龙，叶志镇，陈匆，吴惠敏，汪雷，陈凌翔，叶春丽，李霞，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：