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本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三电极层是Ti...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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