【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法，尤其是一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法，属于IGBT
技术介绍
IGBT为绝缘栅型双极晶体管的首字母简称，是一种压控型功率器件，作为高压开关被普遍应用。在常规的IGBT制备工艺中，首先是正面工艺，包括氧化、离子注入、曝光、淀积和刻蚀等形成正面的PN结、栅电极和发射极图形；然后是背面的减薄工艺和背面的离子注入。常规的IGBT背面都是P型掺杂，有的器件背面掺杂浓度很低，接触电阻如果做不好会使器件的导通电阻太大，影响器件的性能。过渡金属硅化物因其在降低金属-半导体接触 电阻的显著作用，在超大规模集成电路制造工艺中具有广泛的应用前景，由于大部分的过渡金属硅化物都需要经过较高温度(一般要在800度以上)的退火才能形成硅化物，获得低的电阻率；而IGBT的背面金属工艺是在做完正面金属工艺后完成的，正面金属不能经受太高温度，一般要在450度以下，Pd (Pt、Ni)硅化物形成温度低，形成的硅化物物相单一、稳定、且与制造工艺有较好的相容性，可以做为IGBT背面过渡金属娃化物的材料。现有技术中，金属硅化物可以采用以下三种技...
【技术保护点】
一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构，在所述半导体器件的截面上，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区具有相互平行的正面和背面；所述第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区由第一导电类型漂移区的正面向背面方向延伸，且第二导电类型基区的延伸距离小于第一导电类型漂移区的厚度；所述第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区，第一导电类型发射区位于第二导电类型基区的上部，第一导电类型发射区由第一导电类型漂移区的正面向背面方向延伸，第一导电类型发射区的浓度大于第一导电类型漂移区的浓度；所述第一导电类型漂移区内的第二导电类型基区通过位于第一导电类型漂移区正面上的栅...
【技术特征摘要】
1.一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构，在所述半导体器件的截面上，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区具有相互平行的正面和背面；所述第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区由第一导电类型漂移区的正面向背面方向延伸，且第二导电类型基区的延伸距离小于第一导电类型漂移区的厚度；所述第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区，第一导电类型发射区位于第二导电类型基区的上部，第一导电类型发射区由第一导电类型漂移区的正面向背面方向延伸，第一导电类型发射区的浓度大于第一导电类型漂移区的浓度；所述第一导电类型漂移区内的第二导电类型基区通过位于第一导电类型漂移区正面上的栅氧化层以及位于栅氧化层下方的第一导电类型漂移区相隔离；所述栅氧化层位于第一导电类型漂移区正面的中心区，分别与两侧的第二导电类型基区相接触，并与两侧第二导电类型基区内相邻的第一导电类型发射区相接触；在所述栅氧化层上设有多晶栅，多晶栅的形状与栅氧化层的形状相一致；所述第二导电类型基区位于第一导电类型漂移区正面中心区的外圈，第二导电类型基区环绕多晶栅和栅氧化层；在所述第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，在多晶栅上设有栅电极；其特征是在所述第一导电类型漂移区的背面注入第二导电类型离子形成第二导电类型集电区，在第一导·电类型漂移区的背面淀积有第一集电金属区，第一集电金属区的一面覆盖在第一导电类型漂移区的背面，第一集电金属区的另一面上淀积有第二集电金属区。2.如权利要求I所述的采用金属硅化物的功率半导体器件结构，其特征是所述第一集电金属区是由Pb、Pt或Ni淀积形成的金属薄膜。3.如权利要求I所述的采用金属硅化物的功率半导体器件结构，其特征是所述第二集电金属区为Al/Ti/Ni/Ag多层金属。4.如权利要求I所述的采用金属硅化物的功率半导体器件结构，其特征是所述发射极和栅电极相隔离。5.如权利要求I所述的采用金属硅化物的功率半导体器件结构，其特征是所述栅氧化层的厚度为ιοοοΑ。6.一种采...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐承福，朱阳军，卢烁今，吴凯，陈宏，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：
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