三维的芯片到晶圆级集成制造技术

公开了一种三维的芯片到晶圆级集成，集成电路器件包括半导体基底和附接到该半导体基底的晶粒。导电柱被连接到半导体基底或晶粒中的至少一个。二次塑模被模制到半导体基底上位于晶粒上方，并且导电柱延伸通过二次塑模。

【技术实现步骤摘要】
三维的芯片到晶圆级集成
技术介绍
三维集成电路(3D IC)能够用两个或更多层的集成到单个IC芯片中的电子元件构成。电子元件可堆叠以形成单个电路。在有些情况下，垂直穿透性硅通孔(TSV)连接被用以连接到3D IC的电子元件。但是，当两个或更多个晶粒(die)堆叠在彼此之上时，TSV连接的使用可能要求重新设计被堆叠在另一晶粒之下的每个晶粒，以利用TSV连接到下晶粒。在其它的情况中，穿透性模塑焊剂连接，诸如穿透性模塑通孔(TMV)连接，使用焊球来提供在印刷电路板(PCB)和模制复合物的顶侧之间的互连。然而，该类型的构造限制了如由焊球的尺寸和间距要求所确定的在到PCB的连接之间的最小可能的间距。
技术实现思路
公开了一种集成电路器件，其包括半导体基底和附接到该半导体基底的晶粒。二次塑模(overmold)被模制到半导体基底上在晶粒上方。导电柱被连接到半导体基底或晶粒中的至少一个并且延伸通过二次塑模。在实施方式中，半导体基底可包括第二晶粒。导电柱可形成在晶粒和/或第二晶粒上。二次塑模可用以将第一晶粒模制到第二晶粒上，从而导电柱延伸通过二次塑模。在其它实施方式中，半导体基底可包括载体。二次塑模可用以将晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体基底；晶粒，所述晶粒附接到所述半导体基底；二次塑模，所述二次塑模被模制到所述半导体基底上位于所述晶粒上方；和导电柱，所述导电柱连接到所述半导体基底或所述晶粒中的至少一个，所述导电柱延伸通过所述二次塑模。

【技术特征摘要】
2011.10.26 US 13/281,5341.一种半导体器件，包括: 半导体基底； 晶粒，所述晶粒附接到所述半导体基底； 二次塑模，所述二次塑模被模制到所述半导体基底上位于所述晶粒上方；和 导电柱，所述导电柱连接到所述半导体基底或所述晶粒中的至少一个，所述导电柱延伸通过所述二次塑模。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基底和所述晶粒具有至少大致相同的热膨胀系数。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基底包括载体，及到所述晶粒扇出的连接。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基底包括第二晶粒。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述晶粒包括模拟元件或数字元件中的一个，并且所述第二晶粒包括模拟元件或数字元件中的另一个。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括: 再分布层，所述再分布层形成在所述二次塑模上；和 多个焊剂凸起，所述多个焊剂凸起形成在所述再分布层上，所述多个焊剂凸起中的至少一个经由所述再分布层连接到所述导电柱。7.根据权利要求1所 述的半导体器件，其特征在于，所述晶粒以面向上的取向附接到所述半导体基底。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述晶粒以面向下的取向附接到所述半导体基底。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电柱提供到所述半导体基底或所述晶粒中的所述至少一个的电连接。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电柱构造成从所述半导体基底或所述晶粒中的至少一个传送热。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括散热器，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·S·科尔卡，K·坦比杜赖，V·汉德卡尔，H·D·阮，
申请(专利权)人：马克西姆综合产品公司，
类型：发明
国别省市：