【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及能够提高针对来自外部的杂质等的耐性的。
技术介绍
在丽IC (单片微波IC)中使用Ti/Au布线(例如，参照专利文献I)。Ti膜为数十nm,比较薄，为了确保与下层的附着力而被设置在最下层。此外，为了减少布线间的电容而使用空气桥布线(air-bridge wiring)。这是在利用派射形成了 Ti/Au供电层之后利用Au电镀形成的。现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开平1-262646号公报。SiN膜针对镀层表面的附着力低，并且，空气桥布线的覆盖率(coverage)差。因此，利用耐湿性优良的SiN膜保护空气桥布线是困难的。因此，存在如下情况由于从周围的组装构件产生的杂质(Br、Cl等)或外部气体中的H2O,布线的Ti膜发生腐蚀，成为高电阻。并且,还存在如下情况杂质到达半导体衬底的表面,半导体衬底发生腐蚀,产生工作不良。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种能够提高针对来自外部的杂质等的耐性的。本专利技术提供一种半导体装置，其特征在于，具备半导体衬底；下层布线，设置在所述半导体衬底上；树脂膜 ，设置在所述半导...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；下层布线，设置在所述半导体衬底上；树脂膜，设置在所述半导体衬底以及所述下层布线上，在所述下层布线上具有第一开口；第一SiN膜，设置在所述下层布线以及所述树脂膜上，在所述第一开口内具有第二开口；上层布线，设置在所述下层布线以及所述树脂膜的一部分上；以及第二SiN膜，设置在所述上层布线以及所述树脂膜上，在所述树脂膜上附着于所述第一SiN膜，所述上层布线具有：Ti膜，经由所述第一以及第二开口与所述下层布线连接；Au膜，设置在所述Ti膜上，所述第一以及第二SiN膜保护所述Ti膜的周围。
【技术特征摘要】
2011.10.12 JP 2011-2245211.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体衬底；下层布线，设置在所述半导体衬底上；树脂膜，设置在所述半导体衬底以及所述下层布线上，在所述下层布线上具有第一开Π ；第一 SiN膜，设置在所述下层布线以及所述树脂膜上，在所述第一开口内具有第二开Π ；上层布线，设置在所述下层布线以及所述树脂膜的一部分上；以及第二 SiN膜，设置在所述上层布线以及所述树脂膜上，在所述树脂膜上附着于所述第一 SiN 膜，所述上层布线具有Ti膜，经由所述第一以及第二开口与所述下层布线连接；Au膜，设置在所述Ti膜上，所述第一以及第二 SiN膜保护所述Ti膜的周围。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二 SiN膜在所述上层布线上具有第三开口，还具备经由所述第三开口与所述上层布线连接的金属焊盘。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述金属焊盘具有焊盘Au膜。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述金属焊盘还具有焊盘Ti膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：日坂隆行，中本隆博，志贺俊彦，西泽弘一郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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