【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池生产的方法，特别涉及。
技术介绍
随着社会的飞速发展，石油，煤炭等不可再生能源的储量越来越少，价格越来越高。作为重要的清洁能源之一，目前利用太阳能的技术越来越受到重视并得到广泛的应用。目前晶体太阳能电池的技术生产工艺已经开始成熟，在生产太阳能电池的方法中，周边刻蚀是其中很重要的部分，主要是为了去掉扩散时在硅片侧面形成的PN结导电层。目前周边刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种方法。在现有技术中，干法刻蚀是通过射频辉光将反应气体激活成等离子体，这些等离子体扩散到需要刻蚀的部位，与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。通常的工艺是通入反应气体四氟化碳和氧气，执行一次射频辉光的步骤，产生的氟游离基可以与二氧化硅和硅发生反应，在刻蚀完二氧化硅之后继续对硅进行刻蚀，完成工艺步骤。在现有技术方法的刻蚀反应中，等离子体将被刻蚀材料中的二氧化硅刻蚀完后，会继续对硅进行刻蚀，若直接采用一次射频辉光，不改变氧气浓度，会使得在刻蚀完二氧化娃之后对娃的刻蚀不充分。
技术实现思路
本专利技术实施例提供能够在刻蚀后期对硅充分刻蚀的刻蚀方法。本专利技术实施例提供，包括:...
【技术保护点】
一种刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤1，向反应室内通入反应气体，利用射频辉光将反应气体激发为等离子体，所述反应气体包括氧气，步骤2，减小通入反应室的氧气浓度，继续利用射频辉光将所述反应室的反应气体激发为等离子体。
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括: 步骤1，向反应室内通入反应气体，利用射频辉光将反应气体激发为等离子体，所述反应气体包括氧气， 步骤2，减小通入反应室的氧气浓度，继续利用射频辉光将所述反应室的反应气体激发为等离子体。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤I包括: 步骤11，稳定通入反应室的反应气体流量以及稳定反应室内压强； 步骤12，利用射频辉光将反应气体激发为等离子体； 所述步骤2包括: 步骤21，稳定通入反·应室的反应气体流量以及稳定反应室内压强； 步骤22，利用射频辉光将反应气体激发为等离子体。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于:所述步骤2中通入反应室的反应气体流量小于步骤I中通入反应室的反应气体流量。4.根据权利要求3所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨征，
申请(专利权)人：浚鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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