【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学机械抛光浆料的应用,尤其涉及一种铜的化学机械抛光浆料。
技术介绍
随着微电子技术的发展,甚大规模集成电路芯片集成度已达几十亿个元器件,特征尺寸已经进入纳米级,这就要求微电子工艺中的几百道工序,尤其是多层布线、衬底、介质必须要经过化学机械平坦化。甚大规模集成布线正由传统的Al向Cu转化。与Al相比,Cu布线具有电阻率低,抗电迁移能率高,RC延迟时间短,可使布层数减少一半,成本降低30%,加工时间缩短40%的优点。Cu布线的优势已经引起全世界广泛的关注。但是目前还没有对铜材进行有效地等离子蚀刻或湿法蚀刻,以使铜互连在集成电路中充分形成的公职技术,因此铜的化学机械抛光方法被认为是最有效的替代方法。铜的化学机械抛光方法的工作原理一般是先用快且高效的去除速率除去衬底表面上大量的铜,当快要接近阻挡层时即软着陆,降低除去速率抛光剩余的金属铜(见图1)。目前,出现了一系列的适合于抛光Cu的化学机械抛光衆料,如:专利号为US 6, 616, 717公开了一种用于金属CMP的组合物和方法;专利号为US 5,527,423公开了一种用于金属层的化学机械抛光浆料;专利号为US 6,821,897公开了一种使用聚合体络合剂的铜CMP的方法;专利号为CN 02114147.9公开了一种铜化学一机械抛光工艺用抛光液;专利号为CN 01818940.7公开了铜的化学机械抛光所用的浆料;专利号为CN 98120987.4公开了一种用于铜的CMP浆液制造以及用于集成电路的制造方法。但是上述用于铜的抛光浆料使用后衬底表面存在着缺陷、划伤、粘污和/或其它残留,或者是对铜的 ...
【技术保护点】
一种化学机械抛光浆料在铜抛光中的应用,其包括研磨颗粒、有机膦酸、聚丙烯酸类和/或其盐类和/或聚丙烯酸类共聚物、氧化剂和载体。
【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光浆料在铜抛光中的应用,其包括研磨颗粒、有机膦酸、聚丙烯酸类和/或其盐类和/或聚丙烯酸类共聚物、氧化剂和载体。2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于该研磨颗粒的浓度为0.5 5wt%,该有机膦酸的浓度为0.01 lwt%,该聚丙烯酸类和/或其盐类和/或聚丙烯酸类共聚物的浓度为0.01 0.5wt%,该氧化剂的浓度为0.001 5wt%,该载体为余量。3.根据权利要求1所述的应用,其特征在于所述的有机膦酸为羟基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸和/或2-羟基膦酰基乙酸。4.根据权利要求1所述的应用,其特征在于所述的聚丙烯酸类为聚丙烯酸和/或聚马来酸,所述的盐为钾盐、铵盐和/或钠盐,所述的聚丙烯酸类共聚物为聚丙烯酸-聚丙烯酸酯共聚物和/或聚丙烯酸-聚马来酸共聚物。5.根据权利要求1 4任一项所述的应用,其特征在于所述的聚丙烯酸类的分子量为1,000 20,000 ;所述的聚丙烯酸类共聚物的分子量为...
【专利技术属性】
技术研发人员:荆建芬,张建,蔡鑫元,姚颖,
申请(专利权)人:安集微电子上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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