一种用于失效分析的芯片背面减薄装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术的一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。本实用新型专利技术的用于失效分析的芯片背面减薄装置有效的提高了芯片背面减薄后厚度的均匀性、减少返工时间；提高了芯片背面减薄的效率和成功率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种操作保护装置，尤其涉及一种用于失效分析的芯片背面减薄>J-U ρ α装直。
技术介绍
在失效分析中，光子显微镜(EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。当器件故障是由于栅氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应、撞击游离及饱和的晶体管时，将会产生过量的电子-空穴对，而伴随因电子-空穴跃迁产生的光子，可被光子显微镜侦测到并精确地定位出此种故障位置。激光束引生的电阻变化异常检验(Optical Beam Induced Resistance Change,OBIRCH)，是一种利用镭射扫描技术的半导体故障定位仪器。芯片在功能与直流测试期间，OBIRCH利用镭射扫描芯片内部连接位置，如果金属互连线存在缺陷，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开导致温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。OBIRCH功能与EMMI常集成在一个检测系统，合称PEM (Photo EmissionMicroscope)，两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式。当故障上的金属互连层较多时，EMMI将很难侦测到亮点，例如一枚芯片有7层金属互连线，栅氧化层异常产生的红外光子由于被多层金属阻挡，光子显微镜从正面收集到的红外光子信号会非常微弱，这种情况就必需采用backside模式，需要对待分析芯片进行背面减薄及抛光处理。传统的背面减薄方式`是将现有载玻片4用热熔胶与芯片5的正面粘合起来，然后将芯片背面朝下(如图1中所示)，用手指摁住载玻片在研磨盘6上研磨，依次使用不同型号的水砂纸研磨减薄。实际操作时由于现有载玻片4面积较大，手指用力的均匀性有差异，现有载玻片4受力程度不一致，研磨过程中常常会导致芯片5某一侧过薄。如果减薄后的芯片厚度不均匀，则会导致EMMI/0BIRCH时显微镜很难聚焦清楚，后续操作很难进行，影响故障的检测定位。因此本领域的技术人员致力于开发一种有效的用于失效分析的芯片背面减薄装置。
技术实现思路
鉴于上述现有技术中的问题，本技术所要解决的技术问题是现有的技术缺乏有效的用于失效分析的芯片背面减薄装置。本技术的一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。在本技术的一个较佳实施方式中，所述壳体的另一端开口。在本技术的另一较佳实施方式中，所述载玻片可在所述壳体内上下滑动，所述壳体的一端开口所处的平面与所述载玻片平行。在本技术的另一较佳实施方式中，所述壳体的一端上设有通孔。在本技术的另一较佳实施方式中，所述壳体的一端的形状呈锯齿状。在本技术的另一较佳实施方式中，所述载玻片上还设有操作杆。在本技术的另一较佳实施方式中，所述壳体的形状为圆柱体形。在本技术的另一较佳实施方式中，所述壳体由耐磨材料制成。在本技术的另一较佳实施方式中，所述挡块的数量至少为4个。在本技术的另一较佳实施方式中，所述载玻片上的凹槽的数量至少为4个。本技术的用于失效分析的芯片背面减薄装置有效的提高了芯片背面减薄后厚度的均匀性、减少返工时间；提高了芯片背面减薄的效率和成功率。附图说明图1是现有技术的减薄示意图；图2是本技术的实施例的结构示意图。具体实施方式以下将结合附图和实施例对本技术做具体阐释。如图2所示的本技术的实施例的一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，包括壳体I，载玻片2和挡块3。壳体I中空且一端11开口，载玻片2设于壳体I内，载玻片2可在壳体I内滑动，挡块3设于壳体I内，载玻片2上设有与挡块3相配合的凹槽。本技术利用一个保护壳保护并利用挡块固定住载玻片的位置，从而达到预定减薄的厚度。本技术有效的提高了芯片背面减薄后厚度的均匀性、减少返工时间；提高了芯片背面减薄的效率和成功率。另如图2中所示，在本技术的实施例中，壳体I的另一端12也开口，方便载玻片2进入。载玻片2可在壳体I内上下滑动，壳体I的一端11开口所处的平面与载玻片2平行。提高载玻片上的芯片厚度的均匀性。优选壳体I的一端11上设有通孔。并优选壳体I的一端11的形状呈锯齿状。以使得研磨过程中水和被芯片碎屑可以通过锯齿形下缘流出。如图2中所示，在本技术的实施例中，载玻片2上还设有操作杆21。方便放入取出载玻片。在本技术的实施例中，壳体的形状为圆柱体形。优选壳体由耐磨材料制成。由耐磨材料制成的圆柱形壳体起到保护和终止研磨的作用，当圆柱形壳体的下边缘全部接触到研磨盘时，背面减薄即可终止。此外，在本技术的实施例中，挡块的数量至少为4个。并优选载玻片上的凹槽的数量至少为4个。以利用载玻片的平衡。在本技术的实施例的实际工作中，如需要对一厚度为O. 78mm的芯片做背面EMMI，背面减薄的目标厚度为O. 4mm左右，载玻片的厚度为1. 08_，将芯片与载玻片粘接后的厚度为1. 95mm，则背减后整体厚度约为1.57mm。按此需求设计圆柱型壳体，壳体内的挡块下表面高度为1. 57_。将粘有芯片的圆形载玻片插入圆柱形壳体，通过挡块后用力将载玻片旋转过一定的角度，使载玻片被挡块阻挡且固定，不能向上移动，此时超过圆柱形壳体下表面的厚度，即为该芯片需要减去的厚度O. 38mm。将此装置摁在研磨盘上进行研磨，减薄过程中即使出现芯片某一侧较薄，圆柱形壳体的边缘也会起到保护作用，使芯片不会被过份研磨，芯片厚度始终不低于目标值。研磨过程中水和被芯片碎屑可以通过锯齿形下缘流出。由耐磨材料制成的圆柱形壳体起到保护和终止研磨的作用，当圆柱形壳体的下边缘全部接触到研磨盘时，背面减薄即可终止。以上对本技术的具体实施例进行了详细描述，但其只作为范例，本技术并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对该实用进行的等同修改和替代也都在本技术的范畴之中。因此，在不脱离本技术的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本技术的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，其特征在于，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，其特征在于，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。2.如权利要求1所述的芯片背面减薄装置，其特征在于，所述壳体的另一端开口。3.如权利要求1所述的芯片背面减薄装置，其特征在于，所述载玻片可在所述壳体内上下滑动，所述壳体的一端开口所处的平面与所述载玻片平行。4.如权利要求1所述的芯片背面减薄装置，其特征在于，所述壳体的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：白月，李剑，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：