一种用于失效分析的芯片背面减薄装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术的一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。本实用新型专利技术的用于失效分析的芯片背面减薄装置有效的提高了芯片背面减薄后厚度的均匀性、减少返工时间；提高了芯片背面减薄的效率和成功率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种操作保护装置，尤其涉及一种用于失效分析的芯片背面减薄>J-U ρ α装直。
技术介绍
在失效分析中，光子显微镜(EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。当器件故障是由于栅氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应、撞击游离及饱和的晶体管时，将会产生过量的电子-空穴对，而伴随因电子-空穴跃迁产生的光子，可被光子显微镜侦测到并精确地定位出此种故障位置。激光束引生的电阻变化异常检验(Optical Beam Induced Resistance Change,OBIRCH)，是一种利用镭射扫描技术的半导体故障定位仪器。芯片在功能与直流测试期间，OBIRCH利用镭射扫描芯片内部连接位置，如果金属互连线存在缺陷，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开导致温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。OBIRCH功能与EMMI常集成在一个检测系统，合称PEM (Photo EmissionMicroscope)，两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式。当故障上的金属互连层较多时，EMMI将很难侦测到亮点，例如一枚芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，其特征在于，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，其特征在于，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。2.如权利要求1所述的芯片背面减薄装置，其特征在于，所述壳体的另一端开口。3.如权利要求1所述的芯片背面减薄装置，其特征在于，所述载玻片可在所述壳体内上下滑动，所述壳体的一端开口所处的平面与所述载玻片平行。4.如权利要求1所述的芯片背面减薄装置，其特征在于，所述壳体的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：白月，李剑，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：