一种薄硅工艺技术制造技术

一种薄硅工艺技术，属于半导体加工技术领域，该技术可以制作较薄的硅膜，而且可有效缓解制作过程复杂、成本高的问题，其步骤包括：a、提供可预处理的硅片；b、清洗；c、提供可供硅片腐蚀的容器，将硅片平放于腐蚀容器底面；d、在容器中用氢氧化钾溶液刻蚀；e、抛光。由于本工艺中采用都是常用的器具和溶液，所以它制备简便、成本低，而且制作过程安全可靠，适合大规模生产，适用于半导体加工领域中薄硅的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工
，尤其是微机械加工中的一种薄硅工艺技术。
技术介绍
随着半导体加工技术的成熟和完善，微电子机械系统MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)产业已成为一个重要的高新
和研究工作的热点。大多数MEMS器件都是由薄膜构成，尤其在电容式压力传感器中，薄膜的质量直接关系到传感器能否正常工作。高量程的电容式压力传感器硅膜比较厚，例如用于高温环境的压力传感器，采用了 47 μ m的SiAl2O3薄膜，制作相对简单。而对许多低量程的电容式传感器来说，高质量超 薄薄膜的制作变得尤其重要在制作低量程的力平衡电容式真空传感器过程中，得到4μπι或者更薄的硅膜是关键步骤。另外，薄膜硅太阳能电池在航空领域的应用十分广泛，它主要应用于对成本要求不高但对电池柔性和效率要求较高的军事应用中，如预警飞艇等军事移动目标的辅助动力源等。在上述高灵敏度器件和航空领域薄膜电池制作过程中，传统的单晶硅制备方法制备的硅膜较厚，不适于柔性的特殊应用领域，另外，制备较薄的单晶硅膜目前的方法比如MOCVD等，成本较高，制备工艺复杂，因此，实现大批量的生产存在一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄硅工艺技术，其特征是，其步骤包括：a、提供可预处理的硅片；b、清洗；c、提供可供硅片腐蚀的容器，将硅片平放于腐蚀容器底面；d、在容器中用氢氧化钾溶液刻蚀；e、抛光。

【技术特征摘要】
1.一种薄硅工艺技术，其特征是，其步骤包括a、提供可预处理的硅片；b、清洗；c、提供可供硅片腐蚀的容器，将硅片平放于腐蚀容器底面；d、在容器中用氢氧化钾溶液刻蚀；e、抛光。2.根据权利要求1所述的一种薄硅工艺技术，其特征是，在步骤a中，所述的硅片为结构完整、无裂纹的硅片，所述的硅片优选厚度小于等于200微米。3.根据权利要求1所述的一种薄娃工艺技术，其特征是，所述的薄娃工艺技术中，在步骤b中...

【专利技术属性】
技术研发人员：向勇，臧亮，闫宗楷，刘振鹏，
申请(专利权)人：向勇，
类型：发明
国别省市：