一种背面点接触太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种背面点接触太阳能电池的制备方法，包括步骤：（1）硅片去损伤并制绒；（2）扩散；（3）背面磷硅玻璃（PSG）去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗；（4）背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；（5）正面减反射薄膜生长；（6）背面开孔；（7）丝网印刷背银，背铝，正银；（8）烧结，测试。本发明专利技术通过改进太阳能电池的制备方法，有效降低生产成本，适于批量化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池的制备方法。
技术介绍
现代化太阳电池工业化生产朝着高效低成本化方向发展，背面点接触PERC电池作为高效低成本发展方向的代表，其优势在于 (I)优异的背反射器由于电池背面介质膜的存在使得内背反射从常规全铝背场65%增加到92-95%。一方面增加的长波光的吸收，另一方面尤其对未来薄片电池的趋势提供了技术上的保证； (2 )优越的背面钝化技术由于背面介质膜的良好的钝化作用，可以将背面复合速率从全铝背的 1000cm/s降低到100-200cm/s ； 尽管当前国内外众多公司及研究单位都在研制单晶硅背面点接触太阳电池，但目前仍然没有找到低成本可量产的制备方法。另一方面多晶硅背面点接触电池研究仍然处于初期，虽然国外也有公司如Q-Cell已研制出多晶硅背面点接触太阳电池，但始终没有一个低成本可量产的多晶硅背面点接触太阳电池制备方法。
技术实现思路
专利技术目的针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种能够有效降低生产成本，可实现批量化生产的背面点接触太阳能电池的制备方法。技术方案为了解决现有技术的不足，本专利技术提供的，其特征在于包括步骤 (a)娃片去损伤并制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括步骤（a）硅片（4）去损伤并制绒；（b）磷扩散；（c）背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗；（d）背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；（e）正面减反射薄膜生长；（f）背面开孔；（g）丝网印刷背铝，正银；（h）烧结，测试；步骤（c）所述的背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗的方法为采用在线滚轮式设备，单面去除PSG。

【技术特征摘要】
1.一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于包括步骤 (a)娃片(4)去损伤并制绒； (b)憐扩散； (c)背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗； Cd)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长； (e)正面减反射薄膜生长； (f)背面开孔； (g)丝网印刷背铝，正银； (h)烧结，测试； 步骤(c)所述的背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗的方法为采用在线滚轮式设备，单面去除PSG。2.根据权利要求1所述的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于步骤Ca)中所述的娃片为P型娃片(4),电阻率O. 5-6 ohm · cm。3.根据权利要求1所述的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于所述步骤(b)磷扩散形成η型层(3)，方阻值为30-120ohm/Sq，并在η型层(3)上生长SiNx或SiOx钝化减反射层(2)。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：夏正月，高艳涛，宫昌萌，何恬，孙珠珠，宋文涛，陈同银，刘仁中，李晓强，董经兵，孟津，陶龙忠，张斌，邢国强，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
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