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本发明公开了一种背面点接触太阳能电池的制备方法,包括步骤:(1)硅片去损伤并制绒;(2)扩散;(3)背面磷硅玻璃(PSG)去除,背面抛光,正面PSG去除及清洗;(4)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长;(5)正面减反射薄膜生长;(6)背面开孔;...该专利属于奥特斯维能源(太仓)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过奥特斯维能源(太仓)有限公司授权不得商用。
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