一种太阳能电池片镀膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池片镀膜的方法。其特点是，包括如下步骤：(1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，放电200秒；(4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压；(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，预沉积150秒，再通入硅烷，持续放电700秒；(6)停止通气，抽真空，通入氮气，再抽真空；(7)卸料即可。采用本发明专利技术的方法后，可以很好的解决PECVD工序中产生的红片，色差片问题，使得膜色符合工艺要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
太阳能是一种重要的清洁能源，太阳能电池片是把太阳能转化成电能的装置，太阳能电池片生产工艺比较复杂，为了减少太阳光的反射，通常采取的方法是在太阳能电池片上锻减反射膜。通过PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉积法)技术在太阳能电池片的表面表面沉积一层氮化硅膜，工作原理是高频电流使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，化学活性很强的等离子很容易发生反应，在基片上形成所需要的薄膜。能够很好的减少太阳光在硅片表面的反射，降低反射率。 但是现有的工艺不能够满足21片石墨舟的要求，会出现色差、发红片、尤其在炉口表现的尤为严重，最终会影响电池的转化效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，能够使得膜色符合工艺要求，基本杜绝发红片现象。，其特别之处在于，包括如下步骤(I)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，放电200秒；(4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池片镀膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，放电200秒；(4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压；(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒；(6)停止通气，抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压；(7)卸料即可。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片镀膜的方法，其特征在于，包括如下步骤 (1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管； (2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托； (3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，放电200秒； (4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压； (5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒； (6)停止通气...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢余才，陈刚刚，
申请(专利权)人：宁夏银星能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：