只读存储器及其制作方法技术

一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元。只读存储器包含两种不同结构的存储单元。两种存储单元分别为第一MOS管和第二MOS管。第一MOS管的源极和漏极同型，第二MOS管的源极和漏极反型。因此，这两种不同结构的MOS管可分别用于存储二进制里“0”和“1”信息。在其制作方法中，同一类型的漏极、源极可以同步做，无需额外的掩模板，可以省去传统掩模只读存储器额外的掩模板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器，尤其是涉及一种。
技术介绍
只读存储器(ROM,read only memory)是半导体存储器的一种。顾名思义，只读存储器只可以读取其已存入的信息，而无法对已存入的信息进行擦除或重新写入。ROM存储数据稳定，即使在没有电源支持的情况下，所存的数据也不会丢失。只读存储器包含若干个呈阵列排布，用于储存信息的存储单元。目前，市面上较为常见的只读存储器为掩模只读存储器。该掩模只读存储器制作时需要额外的掩模板来形成用于存储信息的存储单元。利用此额外的掩模板离子注入形成两种不同开启电压的存储单元。在读取信息时，利用介于两种开启电压之间的操作电压读取存储单元信息。例如，读取时，低于操作电压的开启电压的存储单元就会开启有相应的电信号获得；高于操作电压的开启电压的存储单元就会处于关闭状态，没有电信号获得。因此，掩模只读存储器存储的信息采用上述方法就可进行有效地读取。然而，此种掩模只读存储器需要利用到额外的掩模板来形成两种不同开启电压的存储单元，增加了只读存储器的制作成本。
技术实现思路
基于此，本专利技术提供一种，可省去传统掩模只读存储器中额外的掩模板，缩短只读存储器的制作周期以及制作成本。一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元。只读存储器包含两种不同结构的存储单元。两种存储单元分别为第一 MOS管和第二 MOS管。第一 MOS管的源极和漏极同型，第二 MOS管的源极和漏极反型。进一步地，以两种不同结构的存储单元均为P型存储单元为例，第一MOS管的源极和漏极为P型，第二 MOS管的漏极为P型、源极为N型。进一步地，以两种不同结构的存储单元均为N型存储单元为例，第一 MOS管的源极和漏极为N型,第二 MOS管的漏极为N型、源极为P型。进一步地，第一 MOS管及第二 MOS管均设有各自的控制栅极，第一 MOS管及第二 MOS管的漏极和源极距各自的控制栅极之间均设有轻掺杂漏区。上述只读存储器的制作方法，该只读存储器包括存储单元以及存储单元周边的外围器件，具体包括以下步骤步骤1:提供硅衬底，在硅衬底同时形成存储单元和外围器件的有源区；步骤2 :在有源区表面形成存储单元和外围器件的栅氧介质及控制栅；步骤3 :在控制栅两侧的有源区同时形成存储单元中第一 MOS管的源极和漏极、与第一 MOS管的源极同型的第二 MOS管的漏极或源极、与第一 MOS管的源极同型的所述外围器件的源极和漏极；步骤4 :在控制栅两侧的有源区同时形成与第一 MOS管源极反型的第二 MOS管的源极或漏极、与第一 MOS管的源极反型的外围器件的源极和漏极。进一步地，只读存储器的制作方法中步骤3包括以下子步骤步骤31 :在形成有控制栅的硅衬底表面涂覆光阻；步骤32 :去除即将形成的第一 MOS管漏极和源极的区域上的光阻部分，同时去除即将形成的均与第一 MOS管源极同型的第二 MOS管漏极或源极及外围器件漏极和源极的区域上的光阻部分；步骤33 :向去除了光阻的区域进行离子注入，形成漏极和源极；步骤34 :去除离子注入后残留在硅衬底表面的光阻。进一步地,步骤32包括以下分步骤将第一 MOS管漏极及源极的区域以及均与第一 MOS管源极同型的所述第二 MOS管的漏极的区域或源极区域和外围器件漏极及源极区域定义在第一漏极及源极掩模板上；通过第一漏极及源极掩模板，曝光形成有控制栅的硅衬底表面的光阻，显影去除硅衬底表面对应于第一漏极及源极掩模板定义的漏极区域及源极区域上的光阻部分。进一步地，只读存储器的制作方法中步骤4包括以下子步骤步骤41 :在形成有控制栅的硅衬底表面涂覆光阻； 步骤42 :同时去除即将形成的均与第一 MOS管源极反型的第二 MOS管源极或漏极和外围器件源极和漏极的区域上的光阻；步骤43 :向去除了光阻的区域进行与第一 MOS管源极反型的离子注入，形成漏极和源极；步骤44 :去除离子注入后残留在硅衬底表面的光阻。进一步地，步骤42包括以下分步骤提供第二漏极及源极掩模板，将均与第一 MOS管的源极反型的第二 MOS管的源极区域或漏极区域和外围器件的源极及漏极区域定义在第二漏极及源极掩模板上；通过第二漏极及源极掩模板，曝光形成有控制栅的硅衬底表面的光阻，显影去除硅衬底表面对应于第二漏极及源极掩模板定义的漏极区域及源极区域上的光阻部分。上述中，存储单元中漏极和源极同型的MOS管、漏极和源极反型的MOS管，这两种不同结构的MOS管可分别用于存储二进制里“O”和“I”信息。在其制作方法中，同一类型的漏极、源极可以通过同一块源极和漏极的掩模板同步制作，与常规MOS器件制作工艺兼容，无需额外的掩模板，因此可以省去传统掩模只读存储器额外的掩模板。附图说明图1为本专利技术只读存储器实施例中第一 MOS管结构示意图2为本专利技术只读存储器实施例中第二 MOS管结构示意图3为本专利技术只读存储器实施例中存储单元部分版图示意图。具体实施方式本实施例提出了，可省去传统掩模只读存储器额外的掩模板，缩短只读存储器的制作周期及成本。本实施例的只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元。只读存储器包含两种不同结构的存储单元。两种存储单元分别为图1所示的第一 MOS管和图2所示的第二 MOS 管。如图1所示，第一 MOS管的源极14和漏极16同型，第二 MOS管的源极18和漏极20反型。以两种不同存储单元均为P型存储单元为例，图1所示的第一 MOS管101的源极 14和漏极16则均为P型，图2第二 MOS管102的漏极20为P型、源极18为N型。当第一 MOS管101和第二 MOS管102的控制栅11加载操作电压时第一 MOS管101可以导通，实现电流的初始写入或读出；第二 MOS管102由于漏极20和源极18反型，无法导通；因此， 可以实现只读存储器二进制“O”和“I”信息的初始写入与读出。由于P型存储单元控制栅通常是加载负压，图2所示第二 MOS管的源极18为N型，通常在工作状态下加载正低电位电压，因此，图2所示第二 MOS·管102在工作状态时等同于反向偏置的二极管。在其他实施例中，第二 MOS管102漏极20为P型或N型，以及源极18为N型或P型可依据第二 MOS管 102工作的操作电压而进行选择。只要满足在实际的工作状态下，第二MOS管102等同于反向偏置二极管即可。以两种不同存储单元均为N型存储单元为例，图1所示的第一 MOS管101的源极 14和漏极16则均为N型，第二 MOS管102的漏极20则为N型、源极18则为P型。与存储单元为P型存储单元同理，当第一 MOS管101和第二 MOS管102的控制栅11加载操作电压时第一MOS管101可以导通，实现电流的初始写入或读出；第二 MOS管102由于漏极20和源极18反型，无法导通；因此，可以实现只读存储器二进制“O”和“I”信息的初始写入与读出。由于N型存储单元控制栅通常是加载正压，图2所示第二 MOS管的源极18为P型，通常在工作状态下加载正低电位电压(通常是零电位)，因此，图2所示第二 MOS管102在工作状态时也等同于反向偏置的二极管。在其他实施例中，第二 MOS管102漏极20为P型或 N型，以及源极18为N型或P型可依据第二 MOS管102工作的操作电压而进行选择。只要满足在实际的工作状态下，第二 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元，其特征在于，所述只读存储器包含两种不同结构的存储单元；所述两种不同结构的存储单元分别为第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的源极和漏极同型，所述第二MOS管的源极和漏极反型。

【技术特征摘要】
1.一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元，其特征在于，所述只读存储器包含 两种不同结构的存储单元；所述两种不同结构的存储单元分别为第一 MOS管和第二 MOS管；所述第一 MOS管的源极和漏极同型，所述第二 MOS管的源极和漏极反型。2.根据权利要求1所述的只读存储器，其特征在于，所述两种不同结构的存储单元均为P型存储单元，所述第一 MOS管的源极和漏极为P型，所述第二 MOS管的漏极为P型、源极为N型。3.根据权利要求1所述的只读存储器，其特征在于，所述两种不同结构的存储单元均为N型存储单元，所述第一 MOS管的源极和漏极为N型，所述第二 MOS管的漏极为N型、源极为P型。4.根据权利要求1至3任一项所述的只读存储器，其特征在于，所述第一MOS管及所述第二 MOS管均设有各自的控制栅极，所述第一 MOS管及所述第二 MOS管的漏极和源极距各自的所述控制栅极之间均设有轻掺杂漏区。5.一种如权利要求1所述的只读存储器的制作方法，所述只读存储器包括存储单元以及存储单元周边的外围器件，其特征在于，包括以下步骤 步骤1:提供硅衬底，在所述硅衬底同时形成所述存储单元和外围器件的有源区； 步骤2 :在所述有源区表面形成所述存储单元和所述外围器件的栅氧介质及控制栅； 步骤3 :在所述控制栅两侧的有源区同时形成所述存储单元中第一 MOS管的源极和漏极、与所述第一 MOS管的源极同型的第二 MOS管的漏极或源极、与所述第一 MOS管的源极同型的所述外围器件的源极和漏极； 步骤4 :在所述控制栅两侧的有源区同时形成与所述第一 MOS管源极反型的第二 MOS管的源极或漏极、与所述第一 MOS管的源极反型的所述外围器件的源极和漏极。6.根据权利要求5所述的只读存储器的制作方法，其特征在于，所述步骤3包括以下子步骤 步骤31 :在形成有控制栅的硅衬底表面涂覆光阻； 步...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锴，杜鹏，蔡建祥，许宗能，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：