基于FINFET的一次可编程器件和相关方法技术

根据一个实施方式，提供了一种基于FINFET的一次可编程器件和相关方法。该一次可编程（OTP）器件包括与传感FinFET平行的存储FinFET。存储FinFET和传感FinFET共享公共源极区、公共漏极区和公共沟道区。存储FinFET通过具有断裂的栅极电介质而被编程，导致传感FinFET具有改变的阈值电压和改变的漏极电流。一种用于使用这样的OTP器件的方法，包括施加编程电压用于使存储FinFET的栅极电介质断裂，从而获得存储FinFET的已编程状态，以及通过传感FinFET检测由该存储FinFET的已编程状态而导致的改变的阈值电压和改变的漏极电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体领域。更具体地，本专利技术涉及一次可编程半导体器件领域。
技术介绍
一次可编程(OTP)半导体器件被广泛使用，例如，以允许集成电路(IC)中的制造后设计变化。例如，在器件制造后，但在商业流通之前，可对嵌于半导体芯片中的一组OTP器件进行编程，以为该芯片提供永久序列号编码。作为替代，在某些应用中可对单个OTP器件进行编程，从而在器件制造后，甚至在IC流通至客户后能永久地启用或禁用一部分1C。 虽然由OTP器件启用的功能是期望的，但传统实施的缺点在于增加了成本，这是由于传统晶体管制造步骤之外的附加处理步骤的成本，并且由于提供隔开的传感晶体管(例如，用于检测OTP器件的编程状态)而需要的电路面积。作为具体实例，实施OTP器件的一种传统的方法是利用分离沟道构造，其中，OTP器件包括横向延伸的栅极结构，栅极结构具有两个不同的栅极电介质厚度。栅极电介质的较薄部分提供OTP器件的编程元件。栅极电介质的该较薄部分可被制成被破坏性地毁掉并且形成从延伸的栅极至下部沟道的导电路径，从而将传统的OTP器件置于“被编程”状态。然而该方法要求电路面积专用于编程元件、通过使用编程元件进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种一次可编程（OTP）器件，包括：存储FinFET，与传感FinFET平行，其中，所述存储FinFET和所述传感FinFET共享公共源极区、公共漏极区和公共沟道区；所述存储FinFET通过具有断裂的栅极电介质而被编程；从而所述传感FinFET由于所述存储FinFET被编程而具有改变的阈值电压和改变的漏极电流。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：夏维，陈向东，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：发明
国别省市：