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根据一个实施方式，提供了一种基于FINFET的一次可编程器件和相关方法。该一次可编程（OTP）器件包括与传感FinFET平行的存储FinFET。存储FinFET和传感FinFET共享公共源极区、公共漏极区和公共沟道区。存储FinFET通过具...
该专利属于美国博通公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国博通公司授权不得商用。

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