改善高透光率掩膜板套刻精度稳定性的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善高透光率掩膜板套刻精度稳定性的方法，该方法对高透光率正性光刻胶掩膜板透光区域进行反转，得到透光区域与所述正性光刻胶掩膜板透光区域相反的低透光率掩膜板，并以所述反转后得到的低透光率掩膜板为曝光掩膜板，采用负性光刻胶对晶圆片进行曝光显影。从而有效地减少了曝光过程中透镜受热的能量，降低了在连续曝光晶圆片之后透镜受热膨胀的程度，因而使得套刻精度保持稳定，提高了晶圆片的良品率以及工艺生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种改善高透光率掩膜板套刻精度稳 定性的方法。
技术介绍
随着半导体元件集成度提高，半导体元件的线宽要求越来越小，关键尺寸(CD， Critical Dimension)的控制也越来越重要，对光刻工艺过程中掩膜板的套刻精度稳定性 要求也越来越高。在光刻工艺中，通常在晶圆片表面涂布一定厚度的光刻胶，然后使用光刻 机(scanner)把掩膜板上的图形曝光转移到娃片上。光刻工艺米用的光刻胶有两种，正性 光刻胶与负性光刻胶，正性光刻胶就是被光照射的部份可以被显影液去除掉，而未曝光的 光阻则不会被显影液去除。而负性光刻胶则相反，被光照射的部份不会被显影液去除，而其 余不被光所照射的区域将会被显影液所去除。在55nm Dual gate工艺中，使用步进光刻 机(stepper)进行曝光，关键尺寸为O. 45um，光刻胶为正性光刻胶，掩模板的图形穿透率为 88. 3%，曝光能量为200毫焦，能量强度等于曝光能量乘以透光率，在进行25片晶圆片连续 曝光工艺时，由于通过掩模板的光源能量强度过大，使透镜逐渐发生受热膨胀，对焦平面即 会发生逐渐偏移，导致图形失焦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善高透光率掩膜板套刻精度稳定性的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：对高透光率正性光刻胶掩膜板透光区域进行反转，得到透光区域与所述高透光率正性光刻胶掩膜板透光区域相反的低透光率掩膜板；以所述反转后得到的低透光率掩膜板为曝光掩膜板，采用负性光刻胶对晶圆片进行曝光显影。

【技术特征摘要】
1.一种改善高透光率掩膜板套刻精度稳定性的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤 对高透光率正性光刻胶掩膜板透光区域进行反转，得到透光区域与所述高透光率正性光刻胶掩膜板透光区域相反的低透光率掩膜板； 以所述反转后得到的低透光率掩膜板为曝光掩膜板，采用负性光刻胶对晶圆片进行曝光显影。2.如权利要求1所述的改善高透光率掩膜板套刻精度稳定性的方法，其特征在于，所述高透光率正性光刻胶掩膜板所对应的曝光能量强度大于100。3.如权利要求2所述的改善高透光率掩膜板套刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：