一种阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及液晶显示装置的制造领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法，用于解决现有基于ADS结构的TFT-LCD制作工艺复杂且效率低的问题。本发明专利技术实施例阵列基板的每个像素区域包括：位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与该漏电极搭接的像素电极，其中像素电极采用单壁碳纳米管材料；位于漏电极、源电极及像素电极上的有源层；位于有源层上的栅绝缘层；以及位于栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。本发明专利技术实施例采用三次构图工艺即可制备而成阵列基板，简化了制造工艺，提高了制造效率，且降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示装置的制造领域，特别涉及。
技术介绍
液晶显示器(LCD,Liquid Crystal Display)具有体积小、重量轻、功耗低、福射低及制造成本低等特点，已被广泛应用于各种电子设备中，如显示器、电视、手机、数码相机等数字电子设备。其中，TFT-LCD (Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)是一种主要的平板显示装置(FPD, Flat Panel Display)。根据驱动液晶的电场方向，TFT-1XD分为垂直电场型、水平电场型和多维电场型。其中，垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极；水平电场型和多维电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。垂直 电场型TFT-LCD包括扭曲向列TN (Twist Nematic)型TFT-LCD ;水平电场型TFT-LCD包括共平面切换IPS (In-Plane Switching)型TFT-LCD ;多维电场型TFT-LCD包括高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch,简称 ADS)型 TFT-LCD。以ADS结构为例，ADS技术主要通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。然而，现有的基于ADS结构的TFT-1XD阵列基板通常都需要经过4次或5次mask工艺(掩模曝光工艺)；由于制作工艺比较复杂，生产效率也会受到影响。综上所述，现有基于ADS结构的TFT-1XD阵列基板通常都需要经过4次或5次掩膜工艺，制作工艺复杂，效率低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了，用于解决现有技术中基于ADS结构的TFT-LCD通常都需要经过4次或5次掩膜工艺，制作工艺复杂，效率低的问题。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括多个像素区域，其中，每个所述像素区域包括位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料；位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层；位于所述有源层上的栅绝缘层；以及位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。优选的，所述公共电极采用单壁碳纳米管材料。优选的，所述有源层采用金属氧化物半导体材料；且所述有源层中未与所述栅绝缘层接触的部分经氧化处理后具有绝缘特性。优选的，所述漏电极和所述源电极与所述像素电极采用相同的材料，且所述漏电极与所述像素电极为一体结构；或，所述漏电极和所述源电极均采用金属材料，且所述源电极与所述衬底基板之间形成有辅助电极，所述辅助电极与所述像素电极同层设置且采用相同的材料。优选的，所述栅极与所述公共电极同层设置，且所述栅极与所述公共电极采用相同的材料；或所述栅极采用金属材料；且所述栅极和所述栅绝缘层之间形成有透明电极，所述透明电极与所述公共电极同层设置且采用相同的材料。优选的，所述栅绝缘层和所述有源层上与所述源电极对应的位置具有贯穿所述栅绝缘层和所述有源层的过孔。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括 通过一次构图工艺，在衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极；其中，所述像素电极采用的材料为单壁碳纳米管；通过一次构图工艺，在形成有所述像素电极、所述漏电极和所述源电极的衬底基板上，形成有源层和栅绝缘层；通过一次构图工艺，在形成有所述栅绝缘层和所述有源层的衬底基板上，形成栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。优选的，所述在衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极，包括在衬底基板上依次沉积第一单壁碳纳米管薄膜和第一金属薄膜，并通过一次构图工艺在沉积有第一单壁碳纳米管薄膜和第一金属薄膜的衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极；或在衬底基板上沉积第一单壁碳纳米管薄膜，并通过一次构图工艺在沉积有第一单壁碳纳米管薄膜的衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极。优选的，所述形成有源层和栅绝缘层，包括在形成有所述像素电极、所述漏电极和所述源电极的衬底基板上，沉积金属氧化物薄膜，作为所述有源层；在所述金属氧化物薄膜上沉积绝缘薄膜，作为所述栅绝缘层，通过一次构图工艺刻除位于显示区域的栅绝缘层，并形成贯穿所述栅绝缘层及所述有源层的过孔以露出所述源电极；对所述有源层中未与所述栅绝缘层接触的部分进行氧化处理，使其具有绝缘特性。优选的，所述形成栅极和公共电极，包括在形成栅绝缘层和有源层的衬底基板上，依次沉积第二单壁碳纳米管薄膜和第二金属薄膜，并通过一次构图工艺在沉积有第二单壁碳纳米管薄膜和第二金属薄膜的衬底基板上形成栅极和公共电极；或在形成栅绝缘层和有源层的衬底基板上，沉积第二单壁碳纳米管薄膜，并通过一次构图工艺在沉积有第二单壁碳纳米管薄膜的衬底基板上形成栅极和公共电极。本专利技术实施例采用三次构图工艺即可制备而成阵列基板，简化了制造工艺，提高了制造效率，且降低了制造成本，由于本专利技术实施例的阵列基板省略了钝化层的制备，进一步简化了制造工艺，降低了制造成本。附图说明图1为现有的TFT-1XD阵列基板的剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例的第一种阵列基板的剖面结构示意图；图3为本专利技术实施例的第二种阵列基板的剖面结构示意图；图4为本专利技术实施例的阵列基板制造方法流程图；图5为本专利技术实施例的第一种阵列基板制造方法流程图；图6A 图61为本专利技术实施例的第一种阵列基板制造过程中的剖面结构示意图；图7为本专利技术实施例的第二种阵列基板制造方法流程图；图8A 图SG为本专利技术实施例的第二种阵列基板制造过程中的剖面结构示意图。具体实施例方式本专利技术实施例提供了，不仅提高了 TFT-LCD阵列基板的特性，还降低了制造成本。下面结合说明书附图对本专利技术实施例作进一步详细描述。本专利技术实施例的阵列基板，包括多个像素区域，每个像素区域包括位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与该漏电极搭接的像素电极，其中该像素电极采用单壁碳纳米管材料；位于漏电极、源电极及像素电极上的有源层；位于有源层上的栅绝缘层；以及位于栅绝缘层上的栅极和用于驱动液晶旋转的公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。本专利技术实施例中，绝缘栅层采用氧化铝Al2O3、氮化铝AlN或氮化硅SiNx ；本专利技术实施例中，公共电极采用氧化铟锡ITO或碳纳米管CNTs等材料；优选的，公共电极米用单壁碳纳米管SWCNT (single-walled carbon nanotube)材料。本专利技术实施例中，有源层采用非晶氧化物材料，具体可以为铟镓锌氧化物IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)、氧化锋 ZnO 或铟锋氧化物 IZO (Indium ZincOxide)等；为了降低制造成本，优选的，本专利技术实施例阵列基板中的像素电极与公共电极采用相同材料。在具体制造过程中，像素电极与漏电极、源电极可以采用不同材料，如像素电极采用ITO或CNTs材料，而漏电极、源电极采用金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素区域，其特征在于，每个所述像素区域包括：位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料；位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层；位于所述有源层上的栅绝缘层；以及位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括多个像素区域，其特征在于，每个所述像素区域包括 位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料； 位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层； 位于所述有源层上的栅绝缘层；以及 位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极采用单壁碳纳米管材料。3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层采用金属氧化物半导体材料；且所述有源层中未与所述栅绝缘层接触的部分经氧化处理后具有绝缘特性。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏电极和所述源电极与所述像素电极位同层设置，且采用相同的材料；或， 所述漏电极和所述源电极均采用金属材料，且所述源电极与所述衬底基板之间形成有辅助电极，所述辅助电极与所述像素电极同层设置且采用相同的材料。5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述公共电极同层设置，且采用相同的材料；或 所述栅极采用金属材料；且所述栅极和所述栅绝缘层之间形成有透明电极，所述透明电极与所述公共电极同层设置且采用相同的材料。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层和所述有源层上与所述源电极对应的位置具有贯穿所述栅绝缘层和所述有源层的过孔。7.—种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括 通过一次构图工艺，在衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极，其中，所述像素电极采用的材料为单壁碳纳米管； 通过一次构图工艺，在形成有所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨静，宁策，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：