【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示装置的制造领域，特别涉及。
技术介绍
液晶显示器(LCD,Liquid Crystal Display)具有体积小、重量轻、功耗低、福射低及制造成本低等特点，已被广泛应用于各种电子设备中，如显示器、电视、手机、数码相机等数字电子设备。其中，TFT-LCD (Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)是一种主要的平板显示装置(FPD, Flat Panel Display)。根据驱动液晶的电场方向，TFT-1XD分为垂直电场型、水平电场型和多维电场型。其中，垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极；水平电场型和多维电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。垂直 电场型TFT-LCD包括扭曲向列TN (Twist Nematic)型TFT-LCD ;水平电场型TFT-LCD包括共平面切换IPS (In-Plane Switching)型TFT-LCD ;多维电场型TFT-LCD包括高级超维场转换技术(ADvanced S...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素区域，其特征在于，每个所述像素区域包括：位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料；位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层；位于所述有源层上的栅绝缘层；以及位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括多个像素区域，其特征在于，每个所述像素区域包括 位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料； 位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层； 位于所述有源层上的栅绝缘层；以及 位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极采用单壁碳纳米管材料。3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层采用金属氧化物半导体材料；且所述有源层中未与所述栅绝缘层接触的部分经氧化处理后具有绝缘特性。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏电极和所述源电极与所述像素电极位同层设置，且采用相同的材料；或， 所述漏电极和所述源电极均采用金属材料，且所述源电极与所述衬底基板之间形成有辅助电极，所述辅助电极与所述像素电极同层设置且采用相同的材料。5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述公共电极同层设置，且采用相同的材料；或 所述栅极采用金属材料；且所述栅极和所述栅绝缘层之间形成有透明电极，所述透明电极与所述公共电极同层设置且采用相同的材料。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层和所述有源层上与所述源电极对应的位置具有贯穿所述栅绝缘层和所述有源层的过孔。7.—种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括 通过一次构图工艺，在衬底基板上形成像素电极、漏电极和源电极，其中，所述像素电极采用的材料为单壁碳纳米管； 通过一次构图工艺，在形成有所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨静，宁策，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。