液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法，涉及液晶显示领域，简化阵列基板的层间结构和阵列基板的生产工艺。本发明专利技术实施例多晶硅阵列基板包括多晶硅TFT，还包括：与多晶硅TFT的有源层同层设置的像素电极，与多晶硅TFT的栅极同层设置的公共电极，公共电极与像素电极相对设置，公共电极和像素电极中位于上方的电极为狭缝状电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种。
技术介绍
近年来，随着液晶显示产品的应用越来越广泛，液晶显示技术也越来越完善。TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管-液晶显不器)以其高品质的图像显示、低能耗、环保等优势在显示领域占据着十分重要位置。作为TFT-LCD 的一种新型制造工艺，LTPS (Low TemperaturePoly-Silicon,低温多晶硅)技术利用准分子激光退火工艺将非晶硅(a-Si)薄膜层转变为多晶硅(Poly-Si)薄膜层。相比非晶硅材料，多晶硅材料的电子迁移率有100倍以上的增加，因此使用LTPS技 术可使TFT-LCD具有更快的响应时间，具有更高的分辨率，更佳的画面显示品质。另外使用LTPS技术，能够减少集成电路1C，简化显示装置的外围，实现窄边框技术。作为TFT-LCD 的另一种新型制造工艺，ADS (Advanced SuperDimension Switch,高级超维场开关)技术利用同一平面内狭缝电极层的边缘电场以及狭缝电极层与板状电极层间的电场产生形成多维电场，使狭缝电极间以及电极正上方所有取向的液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。结合上述两种制造工艺，现有技术LTPS的阵列基板结构如图1所示，包括基板I以及依次设置于基板I上的缓冲层2、有源层3、栅极绝缘层5、栅电极7、层间绝缘层9、源电极10以及漏电极11、有机层113、有机层113上设置的过孔114、连接电极115、公共电极6、钝化层12、像素电极4。上述LTPS阵列基板的制作工艺序较为复杂，需要至少10次构图工艺，因此整个显示面板的制作成本较高。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种，简化阵列基板的层间结构和阵列基板的生产工艺。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例采用如下技术方案本专利技术提供了一种多晶硅阵列基板，包括多晶硅TFT，还包括与所述多晶硅TFT的有源层同层设置的像素电极，与所述多晶硅TFT的栅极同层设置的公共电极，所述公共电极与所述像素电极相对设置，所述公共电极和像素电极中位于上方的电极为狭缝状电极。进一步的，所述多晶硅TFT为顶栅型TFT，所述公共电极为狭缝状电极。进一步的，所述多晶硅TFT为底栅型TFT，所述像素电极为狭缝状电极。 优选的，所述公共电极上方或下方设置有与所述公共电极接触的公共电极线。优选的，所述源电极及所述漏电极的厚度为]000A -5000Λ.另一方面，本专利技术还提供一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。再一方面，本专利技术还提供了一种阵列基板的制作方法，包括形成多晶硅有源层和像素电极；形成栅极绝缘层；形成栅极和公共电极；形成有源层掺杂区域；形成源电极用孔，漏电极用孔以及像素电极过孔；形成源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极通过所述像素电极过孔相连接。进一步的，阵列基板的制作方法，还包括在所述基板上形成缓冲层。进一步的，阵列基板的制作方法还包括所述公共电极上方或下方设置有与所述公共电极接触的公共电极线。进一步的，在形成所述源电极及所述漏电极之后，还包括形成钝化层，通过一次构图工艺形成外围连接孔。本专利技术实施例的，通过调整多晶硅阵列基板内像素电极以及公共电极的层间位置，省去了现有技术中有机层和过孔结构，简化了阵列基板的层间结构，简化了阵列基板的生产工艺，降低了制作成本。另外，公共电极和像素电极位于上方电极为狭缝状电极，使得电极间相互配合产生多维电场，提高了阵列基板的显示效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术阵列基板的结构示意图之一。图2a_2g为本专利技术一种具体实施例的阵列基板分解结构示意图，其中，图2g为该实施例阵列基板的最终结构示意图。图3a_3f为本专利技术另一种具体实施例的阵列基板分解结构示意图，其中，图3f为该实施例阵列基板的最终结构示意图。图4为本专利技术实施例中阵列基板制作工艺的流程示意图之一。图5为本专利技术实施例中阵列基板制作工艺的流程示意图之二。具体实施例方式本专利技术实施例提供了一种，用以简化了阵列基板的层间结构，克服了现有技术中阵列基板生产工艺较为复杂的缺陷。以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透切理解本专利技术。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本专利技术。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本专利技术的描述。下面结合下述附图对本专利技术实施例做详细描述。本实施例提供一种多晶硅阵列基板，如图2g或如图3f所示，该阵列基板包括与多晶硅TFT的有源层3同层设置的像素电极4，与多晶硅TFT的栅极7同层设置的公共电极6，其中，公共电极6与像素电极4相对设置，公共电极6和像素电极4中位于上方的电极为狭缝状电极。进一步的，多晶硅TFT为顶栅型TFT，公共电极为狭缝状电极。作为本专利技术的一种具体实施方式，顶栅型TFT多晶硅阵列基板，如图2g所示基板I以及依次设置于基板I上的缓冲层2、有源层3、与有源层3同层设置的像素电极4、栅极绝缘层5、公共电极6、与公共电极6同层设置的栅电极7、公共电极线8、层间绝缘层9、源电极10以及漏电极11。其中，栅电极7位于有源层3的上方，公共电极6位于像素电极4的上方，公共电极6为 狭缝状电极，像素电极4上设置有像素电极过孔，像素电极4通过像素电极过孔与漏电极11相连。带狭缝的公共电极6与像素电极4可以产生多维电场，利用多维电场用以增大显示装置的视角。进一步的，多晶硅TFT为底栅型TFT，像素电极为狭缝状电极。作为本专利技术的另一种具体实施方式，底栅型TFT多晶硅阵列基板，如图3g所示，其结构与上述具体实施方式中的顶栅型TFT多晶硅阵列基板的结构相类似。其中的区别在于，在底栅型TFT多晶硅阵列基板中，栅电极7位于有源层3的下方，像素电极4位于公共电极6的上方，像素电极4为狭缝状电极。带狭缝的像素电极4与公共电极6可以产生多维电场，利用多维电场用以增大显示装置的视角。本专利技术实施例的多晶硅阵列基板，通过调整多晶硅阵列基板内像素电极以及公共电极的层间位置，省去了现有技术中的有机层和过孔结构，简化了阵列基板的层间结构，简化了阵列基板的生产工艺，降低了制作成本。另外，公共电极和像素电极位于上方电极为狭缝状电极，使得电极间相互配合产生多维电场，提高了阵列基板的显示效果。进一步的，公共电极6上方或下方设置有与所述公共电极接触的公共电极线8，公共电极线8用以传输公共电极6信号，当然，公共电极线8可以根据情况进行设置，使用的时机可根据加载信号进行判断，比如当液晶显示装置的尺寸较大时，公共电极信号较弱的时候可设置公共电极线8。而当阵列基板公共电极信号可以满足显示装置的正常使用时，可将公共电极线8结构省去，用以进一步的增加阵列基板的开口率。优选的，源电极10及漏电极Ii的厚度为1000A ^soooA0本专利技术实施例的公共电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅阵列基板，包括多晶硅TFT，其特征在于，还包括：与所述多晶硅TFT的有源层同层设置的像素电极，与所述多晶硅TFT的栅极同层设置的公共电极，所述公共电极与所述像素电极相对设置，所述公共电极和像素电极两者中位于上方的电极为狭缝状电极。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅阵列基板，包括多晶硅TFT，其特征在于，还包括与所述多晶硅TFT的有源层同层设置的像素电极，与所述多晶硅TFT的栅极同层设置的公共电极，所述公共电极与所述像素电极相对设置，所述公共电极和像素电极两者中位于上方的电极为狭缝状电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT为顶栅型TFT，所述公共电极为狭缝状电极。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT为底栅型TFT，所述像素电极为狭缝状电极。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极上方或下方设置有与所述公共电极接触的公共电极线。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极及所述漏电极的厚度为1000A 5000A 6.一种液晶显...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛燕霞，朴承翊，杨玉清，石天雷，杨慧光，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：