液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法，涉及液晶显示领域，简化阵列基板的层间结构和阵列基板的生产工艺。本发明专利技术实施例多晶硅阵列基板包括多晶硅TFT，还包括：与多晶硅TFT的有源层同层设置的像素电极，与多晶硅TFT的栅极同层设置的公共电极，公共电极与像素电极相对设置，公共电极和像素电极中位于上方的电极为狭缝状电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种。
技术介绍
近年来，随着液晶显示产品的应用越来越广泛，液晶显示技术也越来越完善。TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管-液晶显不器)以其高品质的图像显示、低能耗、环保等优势在显示领域占据着十分重要位置。作为TFT-LCD 的一种新型制造工艺，LTPS (Low TemperaturePoly-Silicon,低温多晶硅)技术利用准分子激光退火工艺将非晶硅(a-Si)薄膜层转变为多晶硅(Poly-Si)薄膜层。相比非晶硅材料，多晶硅材料的电子迁移率有100倍以上的增加，因此使用LTPS技 术可使TFT-LCD具有更快的响应时间，具有更高的分辨率，更佳的画面显示品质。另外使用LTPS技术，能够减少集成电路1C，简化显示装置的外围，实现窄边框技术。作为TFT-LCD 的另一种新型制造工艺，ADS (Advanced SuperDimension Switch,高级超维场开关)技术利用同一平面内狭缝电极层的边缘电场以及狭缝电极层与板状电极层间的电场产生形成多维电场，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅阵列基板，包括多晶硅TFT，其特征在于，还包括：与所述多晶硅TFT的有源层同层设置的像素电极，与所述多晶硅TFT的栅极同层设置的公共电极，所述公共电极与所述像素电极相对设置，所述公共电极和像素电极两者中位于上方的电极为狭缝状电极。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅阵列基板，包括多晶硅TFT，其特征在于，还包括与所述多晶硅TFT的有源层同层设置的像素电极，与所述多晶硅TFT的栅极同层设置的公共电极，所述公共电极与所述像素电极相对设置，所述公共电极和像素电极两者中位于上方的电极为狭缝状电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT为顶栅型TFT，所述公共电极为狭缝状电极。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT为底栅型TFT，所述像素电极为狭缝状电极。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极上方或下方设置有与所述公共电极接触的公共电极线。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极及所述漏电极的厚度为1000A 5000A 6.一种液晶显...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛燕霞，朴承翊，杨玉清，石天雷，杨慧光，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
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