像素电极结构、阵列基板、液晶显示面板及驱动方法技术

本发明专利技术公开了一种像素电极结构、TFT阵列基板、液晶显示面板及驱动方法，用以减小液晶显示的色偏，提高成像质量。本发明专利技术实施例提供的一种像素电极结构，包括多个像素区域，每个像素区域包括：第一畴显示区域、第二畴显示区域、第三畴显示区域和第四畴显示区域；第一畴显示区域中的条状像素电极与参考方向形成第一夹角，第二畴显示区域中的条状像素电极与参考方向形成第二夹角，第三畴显示区域中的条状像素电极与参考方向形成第三夹角，第四畴显示区域中的条状像素电极与参考方向形成第四夹角；其中第一夹角与第二夹角之和为180度，第三夹角与第四夹角之和为180度，并且第一夹角、第二夹角、第三夹角和第四夹角互不相等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种像素电极结构、TFT阵列基板、液晶 显示面板及驱动方法，用以减小液晶显示的色偏，提高成像质量。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显示(TFT-1XD Display)技术的发展和工业技术的进步，液 晶显示器件生产成本降低、制造工艺的日益完善，IXD已经取代了阴极射线管显示成为日常 显示领域的主流技术；由于其本身所具有的优点，在市场和消费者心中成为理想的显示器 件。目前市场上立体显示技术日益兴起，故而解决立体显示技术上的技术缺点，改善成像质 量(如减小色偏，降低立体串扰，画面闪烁，增大可视角度等)也日益重要。高级超维场转换液晶显不技术(Advanced Super Dimension Switch,ADS)具有高 透过率，可视角度大，容易降低成本，已成为了目前高精尖显示领域的主流技术。参见图1， 所示为双畴高级超维场转换技术液晶显示技术中的像素电极结构中的一个像素区域单元 的具体结构，该像素区域是由相邻的栅线与数据线所围成的像素区域，该像素区域包括面 积相等的两畴显示区域。该技术被广泛应用于高端手机屏幕，移动应用产品，监视器，电视 面板等领域。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电极结构，包括多个像素区域，其特征在于，每个像素区域包括：第一畴显示区域、第二畴显示区域、第三畴显示区域和第四畴显示区域；所述第一畴显示区域中的条状像素电极与参考方向形成第一夹角，所述第二畴显示区域中的条状像素电极与参考方向形成第二夹角，所述第三畴显示区域中的条状像素电极与参考方向形成第三夹角，所述第四畴显示区域中的条状像素电极与参考方向形成第四夹角；其中第一夹角与第二夹角之和为180度，第三夹角与第四夹角之和为180度，并且第一夹角、第二夹角、第三夹角和第四夹角互不相等。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王强涛，马新利，王海燕，方正，田允允，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：