一种液晶面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:8531809 阅读:137 留言:0更新日期:2013-04-04 14:09
本发明专利技术公开了一种液晶面板包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,阵列基板上具有像素电极和公共电极,还包括形成控制液晶层内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极和低电位电极,高电位电极和低电位电极相对设置。上述液晶面板中,通过高电位电极和低点位电极形成的水平电场控制液晶分子的初始取向,可以使液晶分子与水平方向的预倾角更接近0°。所以,本发明专利技术提供的液晶面板通过水平电场控制液晶层内液晶分子的初始取向,减小使液晶层内液晶分子与水平方向的预倾角,具有较高的对比度和响应速度。本发明专利技术还提供了一种显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别涉及一种液晶面板及显示装置
技术介绍
在TFT-LCD的显示技术中,为了使液晶面板得到均匀的亮度和较高的对比度、以及快速的响应时间,必须使液晶面板的液晶层内的液晶分子沿着某一定的方向排列,而现有技术中,为达到上述效果,液晶面板中通常使用按一定的方向摩擦的配向膜来使液晶层内的液晶分子规则排列。ADSDS (简称ADS)是平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术(ADvancedSuper Dimension Switch),通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。针对不同应用,ADS技术的改进技术有高透过率1-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。如对于ADS型液晶面板,液晶层内的液晶分子与水平方向的预倾角越小越有利于提高液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶面板,包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板上具有像素电极和公共电极,其特征在于,还包括:形成控制液晶层内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极和低电位电极,每一对所述高电位电极和低电位电极相对设置。

【技术特征摘要】
1.一种液晶面板,包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板上具有像素电极和公共电极,其特征在于,还包括形成控制液晶层内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极和低电位电极,每一对所述高电位电极和低电位电极相对设置。2.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述液晶层内具有由聚肉桂酸乙烯醇酯衍生物或单丙烯酸酯制备而成的高分子网格取向层,且所述高分子网格取向层水平取向。3.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述高电位电极和所述低电位电极为条状电极。4.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述阵列基板或所述彩膜基板上设置有一对所述高电位电极和低电位电极,所述高电位电极和低电位电极的高度小于等于液晶面板的盒厚。5.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述阵列基板上设置有第一高电位电极和第一低电位电极,所述彩膜基板上设置有第二高电位电极和第二低电位电极,所述第一高电位电极和第二高电位电极相对应,形成所述高电位电极,所述第一低电位电极和第二低电位电极相对应,形成所述低电位电极。6.根据权利要求1-5任一所述的液晶面板,其特征在于,所述阵列基板...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈玉琼王丹张洪林董霆张洪术李圭鉉
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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