晶片加工用带制造技术

本发明专利技术涉及晶片加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带具有适于通过扩张截断粘接剂层的工序的均匀扩张性，在热收缩工序中即使不进行高温且长时间地受热也显示出充分的受热收缩性，且不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。本发明专利技术的晶片加工用带10由基材膜11以及设于基材膜11上的粘附剂层12和设于粘附剂层12上的粘接剂层13构成，基材膜11为热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂。

【技术实现步骤摘要】
晶片加工用带方法
本专利技术涉及通过扩张(二 7 A > F )将粘接剂层沿着芯片截断(分断+ 3 )时所用的能够扩张的晶片加工用带。
技术介绍
在IC等半导体装置的制造工序中，实施下述工序对晶片背面进行磨削以使得电路图案形成后的晶片薄膜化的背面研磨工序；在半导体晶片的背面贴附具有粘附性和伸缩性的晶片加工用带后将晶片按芯片单元截断的切割工序；使晶片加工用带扩张的工序；对拾取经截断的芯片的工序；以及芯片粘贴(装配，mount)工序,其中，进一步地将拾取到的芯片粘接至引线框架或封装基板等，或者在叠层封装中将半导体芯片彼此层积、粘接。在上述背面研磨工序中，使用表面保护带以保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)免受污染。在晶片的背面磨削结束后从晶片表面剥离该表面保护带时，在将以下所述的晶片加工用带(切割-芯片粘贴带)贴合在晶片背面后，将切割-芯片粘贴带侧固定于吸附台，对表面保护带实施降低对晶片的粘接力的处理后，剥离表面保护带。对于剥离了表面保护带的晶片，其后将其以背面贴合有切割-芯片粘贴带的状态自吸附台取下，供给至其后的切割工序。另外，在表面保护带由紫外线等能量射线固化性成分构成的情况下，上述的降低粘接力的处理是指紫外线照射处理，在表面保护带由热固性成分构成的情况下，上述的降低粘接力的处理是指热照射(加热)处理。在上述背面研磨工序之后的切割工序 装配工序中，使用在基材膜上依序层积有粘附剂层和粘接剂层的切割-芯片粘贴带。通常在使用切割-芯片粘贴带时，首先将切割-芯片粘贴带的粘接剂层贴合在半导体晶片的背面对半导体晶片进行固定，使用划片刀按芯片单元对 半导体晶片和粘接剂层进行切割。其后，通过使带沿着半导体晶片的径向扩张来实施扩大芯片彼此的间隔的扩张工序。实施该扩张工序是为了在其后的拾取工序中提高利用CCD相机等时对芯片的识别性，并防止拾取芯片时相邻的芯片彼此接触所产生的芯片破损。其后，通过拾取工序，芯片从粘附剂层剥离，与粘接剂层一同被拾取，并通过装配工序直接粘接于引线框架或封装基板等。如此，通过使用切割-芯片粘贴带，可以将带有粘接剂层的芯片直接粘接在引线框架或封装基板等，因而能够省略粘接剂的涂布工序或另外在各芯片上粘接芯片粘贴膜的工序。但是，在上述的切割工序中，由于如上所述使用划片刀对半导体晶片和粘接剂层一同进行切割，因而不仅会产生晶片的切削屑，还会产生粘接剂层的切削屑。对于粘接剂层的切削屑，由于其本身具有粘接功能，因而在切削屑填塞到晶片的切割槽的情况下，芯片彼此紧贴在一起，产生拾取不良等，半导体装置的制造成品率会降低。为了解决上述的问题，有方案提出了如下的方法在切割工序中，仅对半导体晶片用刀片进行切割，在扩张工序中，使切割-芯片粘贴带扩张，由此，对应各个芯片，将粘接剂层截断(例如专利文献I的 )。通过这样的利用了扩张时的张力来截断粘接剂层的方法，不产生粘接剂的切削屑，在拾取工序中不会造成不良影响。另外，近年来，作为半导体晶片的切断方法，提出了使用激光加工装置在不接触的情况下切断晶片的所谓隐形切割(Stealth Dicing)法。例如，在专利文献2中，作为隐形切割法，公开了一种半导体基板的切断方法，该方法具备片材夹着芯片粘贴树脂层(粘接剂层)贴附于半导体基板，调整焦点光，向该半导体基板的内部照射激光，由此在半导体基板的内部形成由多光子吸收所致的改性区域， 在该改性区域形成预定切断部的工序；以及通过使片材扩展(扩张)从而沿预定切断部将半导体基板以及芯片粘贴树脂层切断的工序。另外，作为使用了激光加工装置的半导体晶片的切断方法的其他方法，例如在专利文献3中提出了一种半导体晶片的分割方法，该方法包括下述工序在半导体晶片的背面安装芯片粘贴用的粘接膜(粘接剂层)的工序；在背面安装有该粘接膜的半导体晶片的粘接膜侧贴上可拉伸的保护胶带的工序；从贴有保护胶带的半导体晶片的表面沿路线 (street)照射激光光线，分割成一个个半导体芯片的工序；使保护胶带扩展(扩张)，对粘接膜施加拉伸力，使粘接膜按每个半导体芯片断裂的工序；以及将贴有已断裂的粘接膜的半导体芯片从保护胶带脱离的工序。根据专利文献2和专利文献3所述的这些半导体晶片的切断方法，通过激光的照射和带的扩张，在不接触的情况下将半导体晶片切断，因而对半导体晶片的物理负荷小，可以进行半导体晶片的切断而会不产生在进行目前主流的刀片切割时那样的晶片的切削屑 (chipping，屑)。并且，由于是通过扩张来截断粘接剂层的，因而也不会产生粘接剂层的切削屑。因此其作为可代替刀片切割的优异技术而受到瞩目。在通过上述专利文献I 3所记载那样的扩张来截断粘接剂层的情况下，对于所使 用的切割-芯片粘贴带，为了确实地将粘接剂层沿半导体芯片截断，要求基材膜具有均匀且各向同性的扩张性。这是由于，在基材膜局部出现扩张不充分的位置时，在该位置不能够向粘接剂层传送充分的拉伸力，不能截断粘接剂层。但是，通常在对基材膜进行挤出成型时、或者作为产品将带卷绕成辊状时，切割-芯片粘贴带受到各向异性的力，产生变形应力，基材膜的扩张性不均匀且呈各向异性， 这一点是众所周知的。因此，作为具有均匀扩张性的切割-芯片粘贴带，迄今已提出了数种方案(例如参照专利文献4 9)。并且具有这样的问题上述扩张后，由于上述带产生松弛，因而不能稳定地保持各个芯片的间隔，在搬运时相邻芯片间发生接触，引起粘接剂层的再粘连。为了解决该问题， 有提案提出了将上述带制成受热收缩性带，在上述截断工序后对带加热使其收紧，保持芯片间的间隔的方法(例如参照专利文献10、11)。作为上述受热收缩性带，优选聚氯乙烯带 (例如参照专利文献10)。但是，上述聚氯乙烯带在使用后焚烧处理时会产生二噁英或作为其类似物的氯化芳香族烃，有可能给环境带来负担。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-5530号公报专利文献2 日本特开2003-338467号公报专利文献3 :日本特开2004-273895号公报专利文献4 :日本特开平6-134941号公报专利文献5 日本特开平11-199840号公报专利文献6 日本特开2000-273416号公报专利文献7 日本特开2001-11207号公报专利文献8 日本特开2003-158098号公报专利文献9 日本特开2009-231699号公报专利文献10:日本特开2002-334852号公报专利文献11:日本特开2007-27562号公报
技术实现思路
如上所述，若利用使用受热收缩性带在截断工序后对带进行加热使其收紧来保持芯片间的间隔的方法，则能够防止扩张后的带松弛所致的粘接剂层再粘连。但是，根据所使用的受热收缩性带的性能的不同，若未在高温且长时间地受热，则在受热收缩工序后会产生松弛，在拾取工序中会招致拾取不良。本专利技术的目的在于提供一种晶片加工用带，其具有适合于通过扩张来截断粘接剂层的工序中的均匀扩张性，在热收缩工序中即使并未高温且长时间受热也显示出充分的受热收缩性，且不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。为了解决以上的课题，本专利技术的第I方式涉及通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带的特征在于，其具有基材膜，并具有设于上述基材膜上的粘附剂层、以及设于上述粘附剂层上的粘接剂层，上述基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带的特征在于，其具有基材膜；并具有设于上述基材膜上的粘附剂层、以及设于上述粘附剂层上的粘接剂层；上述基材膜由热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：佐野透，三原尚明，盛岛泰正，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：