发光二极管阵列基板制造技术

本实用新型专利技术提供一种发光二极管阵列基板，包括N排导电子基板(建议为高速导热的基板)及多个发光二极管单元，其中2≤N≤1000，且两相邻的导电子基板之间具有缺槽，使得N-1个缺槽隔开N排导电子基板。各发光二极管单元设置在两相邻的导电子基板之间，且各发光二极管单元包括外框架、发光二极管芯片以及至少两导电线。外框架设于对应两相邻的导电子基板；发光二极管芯片设置于外框架内；至少两导电线与发光二极管芯片电性连接，并用以电性连接对应两相邻的导电子基板，然后覆盖荧光包覆物(如荧光粉胶)在外框架内，而完成发光二极管阵列基板工序。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术为一种发光二极管阵列基板。技术背景相较于一般传统的白炽灯、荧光灯或其他照明光源，发光二极管(Light EmittingDiode)由于具有低温发光效率佳、无污染且寿命长等优点，因此目前已逐渐成为各种照明设备光源选择的首选。由于发光二极管光源已广泛地被使用在照明设备中，然而使用传统的发光二极管支架生产工艺，使用细脚的导线来将高瓦数发光二极管散热是不具成效的，发光二极管需要贴附在具有连接与散热的基板(载板)上，才能有效工作，因此须制造多种不同组合的发光二极管模块来配合各个用户化的照明设备的照明需求。但是，针对各个用户化的照明设备的照明需求制造不同发光二极管模块对于发光二极管模块制造商来说是一个麻烦的工序且成本高。此外，用户化制造出的发光二极管模块只能用于特定用户化的照明设备中，无法应用在其他照明设备上，在应用上的便利性有待加强。因此有必要提供一种发光二极管阵列基板，其具有面形散热金属基板，能高速有效散热且不需支架与具有连接与散热的基板(载板)，其能有效压低生产成本，另外完成的发光二极管阵列基板，只需要简单的裁切就可做出能配合各个用户化的照明设备的照明需求的发光二极管模块，来解决现有技术所存的问题。
技术实现思路
本技术的主要目的是在提供一种发光二极管阵列基板。为达成上述目的，本技术的发光二极管阵列基板，包括N排导电子基板(建议为高速导热的金属基板)及多个发光二极管单元，其中2 < N < 1000,且两相邻的导电子基板之间具有缺槽，使得N-1个缺槽隔开N排导电子基板；各发光二极管单元设置在两相邻的导电子基板之间，且各发光二极管单元包括外框架、发光二极管芯片以及至少两导电线。外框架设于对应两相邻的导电子基板；发光二极管芯片设置在外框架内；至少两导电线与发光二极管芯片电性连接，并用以电性连接对应两相邻的导电子基板。根据本技术的一实施例，其中两相邻的导电子基板10包括有M个发光二极管单元,其中2 < M < 1000。根据本技术的一实施例，其中多个发光二极管单元总共有MX (N-1)，使得MX (N-1)个发光二极管单元以阵列方式排列。根据本技术之一实施例，其中M及N都至少大于4。根据本技术的一实施例，其中各发光二极管单元还包括一荧光包覆物，荧光包覆物包覆对应的发光二极管芯片。根据本技术的一实施例，其中该发光二极管芯片设置在该外框架内，并贴附在外框架内两相邻的该导电子基板上，可根据需要放置在不同方位，然后用金属线接，以能在不同方向控制导通点亮，增加应用的变化性。由于本技术构造新颖，二极管芯片直接贴在导电子基板上，直接通过大面积的金属体散热，且此技术的基板能与多个二极管芯片电性连接，不需做支架与载板，能大幅减少成本与生产的时间，并能快速应用于生产，且确有增进功效，故依法申请技术专利。附图说明图1是本技术的发光二极管阵列基板的俯视图；图2是本技术的发光二极管阵列基板的电路图； 图3是本技术的发光二极管阵列基板的局部放大与结构爆炸图；图4是本技术的发光二极管阵列基板的局部放大示意图；图5是图4的剖面示意图；图6是本技术的发光二极管阵列基板的另一实施例的电路图。附图标记说明1、Ia :发光二极管阵列基板；10:导电子基板；11 :缺槽；20 :发光二极管单元；21 :外框架；22 :发光二极管芯片；23:导电线；24 :荧光包覆物。具体实施方式为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出本技术的具体实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。以下请参考图1关于本技术的发光二极管阵列基板的一实施例，其中图1是本技术的发光二极管阵列基板的俯视图。本技术的发光二极管阵列基板I包括N排导电子基板10，且两相邻的导电子基板10包括有M个发光二极管单元20，以形成MX (N-1)的发光二极管阵列基板1，并且两相邻的导电子基板10之间具有一缺槽11，使得N-1个缺槽11隔开N排导电子基板10。其中，如图1所示，在本实施例中M = N = 4,因此本实施例的发光二极管阵列基板I包括四排(N = 4)导电子基板10，而相邻的两导电子基板10之间包括四个(M = 4)发光二极管单元20，而形成如图1所示的4X3的发光二极管阵列基板1，并且两相邻的导电子基板10之间具有一缺槽11，使得本实施例的四排(N = 4)导电子基板10被3个(N-1)缺槽11隔开。在此须注意的是，N与M的数值皆不以此实施例为限，而N与M的建议范围分别是2彡N彡1000 ;2彡M彡1000，其中M及N都是自然数。以下请参考图2以了解本实施例的4X3发光二极管阵列基板I中发光二极管单元20与导电子基板10间的电性连接关系，其中图2是本技术的发光二极管阵列基板的电路图。如图2所示，在本技术的发光二极管阵列基板I中，位于相邻的两导电子基板10之间的四个发光二极管单元20(图2中X方向排列的发光二极管单元20)是并联连接，而相邻的两排发光二极管单元20 (图2中Y方向排列的发光二极管单元20)之间是串联连接。在此需注意的是，本实施例的导电子基板10是由金属铜板制成，但本技术不以此为限。利用发光二极管单元20在导电子基板10上以X方向并联，Y方向串联的特性，本技术的发光二极管阵列基板I可被灵活裁切为不同组合形式的发光二极管模块，以配合不同用户化照明设备需要的照明规格。因此，发光二极管模块制造商只需要制造本技术的发光二极管阵列基板1，再依照用户化照明设备的照明规格来裁切本技术的发光二极管阵列基板1，就可解决先前技术中，需要制造不同组合形式发光二极管模块来配合个别用户化照明设备的复杂工序。举例来说，若要配合T8/T5灯管的照明规格，则可直接在本技术的发光二极管阵列基板I裁切出16串或32串的发光二极管灯条，供T8/T5灯管使用。又如，在本技术的发光二极管阵列基板I裁切出3串3并、4串4并或8串2并的小面积发光二极管灯板；或裁切32串8并的大面积发光二极管灯板。以下请一并参考图3至图5，藉以清楚展示本技术的发光二极管阵列基板I的细部构造。图3是本技术的发光二极管阵列基板的局部放大与结构爆炸图；图4是本技术的发光二极管阵列基板的局部放大示意图；图5是图4的剖面示意图。如图3至图5所示，本技术的发光二极管单元20设置在两相邻的导电子基板10之间，且发光二极管单元20包括外框架21、发光二极管芯片22以及两导电线23。如图3所示，外框架21与对应的两相邻的导电子基板10嵌合，藉以让各个发光二极管单元20得以固定在两相邻的导电子基板10之间。如图5所示，发光二极管芯片22设置在外框架21内；两导电线23与发光二极管芯片22电性连接，并通过两导电线23让发光二极管芯片22电性连接到对应两相邻的导电子基板10，使发光二极管单元20发光，而本实施例的发光二极管单元20的耗电功率为O. 5W,且两导电线23分别为正极导线与负极导线，但本技术不以前述为限。此外，如图5所示，在本实施例中，发光二极管单元20还包括一荧光包覆物24，包覆对应的发光二极管芯片22。荧光包覆物24是由荧光材料制成，通过使用不同颜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管阵列基板，其特征在于，包括：N排导电子基板，其中2≤N≤1000，其中两相邻的导电子基板之间具有一缺槽，使得N?1个缺槽隔开N排导电子基板；以及多个发光二极管单元，其中各该发光二极管单元设置在两相邻的该导电子基板之间，其中各该发光二极管单元包括：一外框架，设于对应两相邻的该导电子基板；一发光二极管芯片，设置在该外框架内；以及至少两导电线，与该发光二极管芯片电性连接，并用以电性连接对应两相邻的该导电子基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱立国，
申请(专利权)人：茂丞科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：