【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有第一组件的多层薄膜元件，特别是形为多层薄膜元件的RFID天线，以及一种用于将第二组件固定在该类多层薄膜元件上的方法(RFID=射频识别)。
技术介绍
RFID应答器包括至少一个天线和一个电子微芯片，简称“芯片“，其置于支撑体上。在熟知的用于生产RFID应答器的方法中首先会准备好天线基底，即多层薄膜元件包括支撑基底和至少一个导电层用作RFID天线，并且然后天线和应答器芯片电连接。一种传播很广的将芯片置于天线基底上的安装方法为倒装焊接。其中芯片在其主动接触面(“芯片焊盘”)上配备有接触突起(所谓的“Bumps”)、被翻转(因此具有倒装的名称)、被对准然后通过其接触面设置于相应芯片接触面(“基底焊盘“)上，使得芯片和天线间产生导电接触。在另一种可选的实施形式中，芯片被机械式地固定在例如被称为“Strap “的接线元件上并且电连接，其中接线元件在其一侧具有设置在天线基底的相应芯片接触面(“基底焊盘“)上的接触元件，以此芯片和天线间建立了导电连接。例如是可加热的冲头(热电极)的加热装置可以和一个或者多个组件相接触，从而让天线和芯片或天线和其上具有安装...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.21 DE 102010024523.21.一种具有绝缘层(10)的多层薄膜元件(I)，所述绝缘层包括正面(10V)和与正面(IOV)对置的背面(10R)，其中薄膜元件(I)包括构成第一组件的层(11、12)和设置于正面(IOV)与第一组件连接的至少一个组件接触面(23、24)，用于放置第二组件(50)，其中薄膜元件(I)包括设置于绝缘层(10)上的至少一个热电极接触层(30)，从与绝缘层(10)垂直的方向看，所述至少一个热电极接触层设置于所述至少一个组件接触面(23、24)的区域中并且在所述至少一个热电极接触层(30)的背离绝缘层(10)的一侧上具有构成薄膜元件(I)外表面的热电极接触面(32 )。2.如权利要求1所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述构成第一组件的层(11、12)可导电。3.如权利要求1或2之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，第一组件是天线结构。4.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个组件接触面(23、24)与第一组件电连接。5.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个组件接触面(23、24)是用于放置电子微芯片(50)的芯片接触面。6.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一个热电极接触层(30)构造成设置在正面(IOV)的正面热电极接触层，该正面热电极接触层至少局部地包围所述至少一个组件接触面(23、24)，和/或所述至少一个热电极接触层(30)构造成设置在背面(10R)的背面热电极接触层，该背面热电极接触层从与绝缘层(10)垂直的方向上看至少局部地搭接和/或包围所述至少一个组件接触面(23、24)。7.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，背面热电极接触层从与绝缘层(10)垂直的方向上看完全覆盖所述至少一个组件接触面(23、24)。8.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，正面热电极接触层和背面热电极接触层通过导热组件相互热连接。9.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个热电极接触层(30)由热导率大于50W/ (mK)的材料制成。10.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个热电极接触层(30)构造成金属层。11.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个热电极接触面(32)具有圆形或矩形的轮廓(34)。12.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一个热电极接触面(32)，在绝缘层的平面内被测量时，具有在2至50mm范围内的、特别是5至25mm范围内的最大延展。13.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一个热电极接触层(30)具有I至50 μ m范围内的、特别是6至14 μ m范围内的...
【专利技术属性】
技术研发人员：U·申德勒，C·舒马赫，S·米斯林格，
申请(专利权)人：雷恩哈德库兹基金两合公司，
类型：
国别省市：
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