多层薄膜元件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有第一组件的多层薄膜元件（1），特别是形为多层薄膜元件的RFID天线，以及一种用于将第二组件固定在该类薄膜元件（1）上的方法。薄膜元件（1）具有绝缘层（10），所述绝缘层包括正面（10V）和背面（10R）。薄膜元件（1）具有构成第一组件的层（11、12）和设置于正面（10V）上、和第一组件相连的至少一个组件接触面（23、24）。薄膜元件（1）包括设置于绝缘层（10）上的至少一个热电极接触层（30），从和绝缘层（10）相垂直的方向看，所述至少一个热电极接触层设置于所述至少一个组件接触面（23、24）的区域中。热电极接触层（30）在背离绝缘层（10）的一侧上具有构成薄膜元件（1）外表面的热电极接触面（32）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有第一组件的多层薄膜元件，特别是形为多层薄膜元件的RFID天线，以及一种用于将第二组件固定在该类多层薄膜元件上的方法(RFID=射频识别)。
技术介绍
RFID应答器包括至少一个天线和一个电子微芯片，简称“芯片“，其置于支撑体上。在熟知的用于生产RFID应答器的方法中首先会准备好天线基底，即多层薄膜元件包括支撑基底和至少一个导电层用作RFID天线，并且然后天线和应答器芯片电连接。一种传播很广的将芯片置于天线基底上的安装方法为倒装焊接。其中芯片在其主动接触面(“芯片焊盘”)上配备有接触突起(所谓的“Bumps”)、被翻转(因此具有倒装的名称)、被对准然后通过其接触面设置于相应芯片接触面(“基底焊盘“)上，使得芯片和天线间产生导电接触。在另一种可选的实施形式中，芯片被机械式地固定在例如被称为“Strap “的接线元件上并且电连接，其中接线元件在其一侧具有设置在天线基底的相应芯片接触面(“基底焊盘“)上的接触元件，以此芯片和天线间建立了导电连接。例如是可加热的冲头(热电极)的加热装置可以和一个或者多个组件相接触，从而让天线和芯片或天线和其上具有安装好的芯片的接线元件互相间以机械的方式持久相连。在这里可以采用合适的粘合剂或者焊料作为“连接介质”。例如在芯片接触面区域中预先设置的粘合剂可以在将倒装芯片或者其上具有安装好的芯片的接线元件放置于天线基底上后通过热电极被激活，例如硬化。通过所述方式在倒装芯片安装或者在安装其上具有安装好的芯片的接线元件时以唯一一个过程步骤实现了机械固定和电接通。此外电触点通过被内嵌在粘合剂内被保护不受环境影响。DE 10 2004 059 281B3和DE 10 2007 058 802B3描述了倒装芯片安装。在组件和所述多层薄膜元件连接的连接过程中，例如在应答器芯片或者其上具有安装好的芯片的接线元件被置于特别是形为多层薄膜元件的RFID天线的该类多层薄膜元件上的芯片连接中，目前可以见到在使用由例如为PVC-ABS的易熔材料制成的基底作为RFID天线的支撑体时,会出现该材料粘附在热电极上(PVC=聚氯乙烯；ABS=丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物)。热电极上的材料粘附阻止了热电极和基底间均匀的和全面的接触，其会导致生产缺陷。
技术实现思路
本专利技术的任务是，给出改进的多层薄膜元件和改进的方法，在该多层薄膜元件上或者通过该方法阻止了热电极上的干扰性的材料粘附。该任务通过具有绝缘层的多层薄膜元件解决，所述绝缘层包括正面和与正面对置的背面，其中薄膜元件包括构成第一组件的层和设置于正面的、与第一组件连接的至少一个组件接触面，用于放置第二组件，其中薄膜元件包括设置于绝缘层上的至少一个热电极接触层，从与绝缘层垂直的方向看，所述至少一个热电极接触层设置于所述至少一个组件接触面的区域中并且在所述至少一个热电极接触层的背离绝缘层的一侧上具有构成薄膜元件外表面的热电极接触面。该任务还通过用于将第二组件固定于根据权利要求1至21之一的多层薄膜元件上的方法解决，其中该方法包括步骤为第二组件具有接触面的一侧和/或所述至少一个组件接触面涂上可热激活的连接介质，优选为可热激活的、特别是导电的粘合剂；将第二组件具有接触面的一侧置于所述至少一个组件接触面上；将所述至少一个热电极接触面和热电极接触以激活连接介质；以及在激活连接介质后将热电极和所述至少一个热电极接触面分离。根据本专利技术的方法展示了一个也被称为结合过程的用于将第二组件和多层薄膜元件相连的连接过程。 优选第一组件或第二组件或两个组件被构造成电气或电子组件。该类电气或电子组件例如为天线结构、带状导体结构、简称为“芯片”的电子微芯片、电池、特别是用于芯片或者其他组件能量供给或者能量缓冲的柔性薄膜电池、例如为扬声器的信号输出装置、压电元件、例如为发光二极管的显示元件、液晶显示或者处理尤其由天线结构接收的电信号的其他处理信号或整理信号的组件。在下面的叙述中，“芯片”的概念既包括芯片也包括接线元件或者其上具有安装好的芯片的接触元件。该类其上具有安装好的芯片的接触元件或者接线元件例如为所谓的“带上芯片”或者所谓的“自适应核”，其中接线元件或者接触元件除芯片外还可以包括天线。其中“安装好”特别意味着机械式固定和/或导电的和/或导热的连接。“可以热激活”可以表示连接介质通过热量的作用被完全或部分硬化，这意味着其为可热硬化的连接介质。“可热激活”也可以表示除了热量的作用外有额外的能量输入进入连接介质或者其他类型的外部影响作用于连接介质上以推动连接介质中的化学反应，特别是通过电场和/或磁场或者通过可见的或者不可见的光、紫外线、红外线或者通过湿度的作用(UV=紫外；11 =红外)。可热激活的连接介质为双硬化的连接介质也是可以的，这意味着可以通过下面的组合之一硬化光引发+热量或者热量+湿度。绝缘层可以由唯一的一层组成或者包括多层，其中至少有一层具有绝缘特征。所述一层或多层可以被制成薄膜或者薄膜积层。绝缘层形成了基底，其上被涂敷另外的多个层，其中至少有一层优选为导电层。以这种方式在绝缘层上制成至少一个例如为天线结构的第一组件和至少一个例如为芯片接触面的组件接触面。绝缘层有两面绝缘层的第一面构成了具有至少一个组件接触面的正面或者前面，其上直接或者间接通过接线元件配有优选为芯片的第二组件；绝缘层另一个对置的面构成了背面或者下面。在绝缘层的正面和/或背面可以设置除了第一组件和第二组件外的其他尤其为电气或者电子的组件，其优选与第一组件和第二组件一起构成功能单元或者构成与之分离的电气功能单元。“正面”、“前面”、“背面”和“下面”的概念是指任意的定义，其中绝缘层的那个其上设有至少一个组件接触面和接着设有第二组件的面被称为“正面”或者“前面”，而绝缘层的对置的面被称为“背面”或者“下面”。该定义并不限制绝缘层在制造方法或者之后的薄膜元件使用中的实际定向。用“第一面”或者“组件面”的概念替代“正面”以及用“第二面”的概念替代“背面”也同样是可供选择的。在提到的“从和绝缘层相垂直的方向看”中绝缘层被视为近似等厚的具有两个平行平面的分界面、尤其是正面和背面的层。从垂直于绝缘层的方向看组件的视角在所述近似下对应于将组件投影到绝缘层的正面或者背面，其中投影垂直于平行平面的分界面。所述至少一个热电极接触层为平整的空间元件，包括朝向绝缘层的内端面一通过该内端面它与绝缘层相连，背离绝缘层的形成热电极接触面的外端面以及一个或者多个连接两个端面的、优选为基本上垂直于绝缘层配置的侧面。所述至少一个热电极接触面可以相对于绝缘层被配置在和构成第一组件的层相同的平面内或者可以相对于绝缘层被配置在构成第一组件的层所在平面的上面或者下面。本专利技术建议薄膜元件配备包括热电极接触面的所述至少一个热电极接触层，其中所述至少一个热电极接触层从和薄膜元件绝缘层相垂直的方向看设置在所述至少一个组件接触面区域中。其中热电极接触面构成了薄膜元件的外表面，这意味着它位于多层薄膜元件的表面上，并且因此可以通过从外部引向薄膜元件的热电极直接接触，这意味着热电极可以短暂设置于热电极接触面上并且然后重新和热电极接触面隔离开。热电极接触面直接和热电极相接触用于激活位于所述至少一个组件接触面和第二组件间的可热激活的连接介质。热量会从热电极通过热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.21 DE 102010024523.21.一种具有绝缘层(10)的多层薄膜元件(I)，所述绝缘层包括正面(10V)和与正面(IOV)对置的背面(10R)，其中薄膜元件(I)包括构成第一组件的层(11、12)和设置于正面(IOV)与第一组件连接的至少一个组件接触面(23、24)，用于放置第二组件(50)，其中薄膜元件(I)包括设置于绝缘层(10)上的至少一个热电极接触层(30)，从与绝缘层(10)垂直的方向看，所述至少一个热电极接触层设置于所述至少一个组件接触面(23、24)的区域中并且在所述至少一个热电极接触层(30)的背离绝缘层(10)的一侧上具有构成薄膜元件(I)外表面的热电极接触面(32 )。2.如权利要求1所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述构成第一组件的层(11、12)可导电。3.如权利要求1或2之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，第一组件是天线结构。4.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个组件接触面(23、24)与第一组件电连接。5.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个组件接触面(23、24)是用于放置电子微芯片(50)的芯片接触面。6.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一个热电极接触层(30)构造成设置在正面(IOV)的正面热电极接触层，该正面热电极接触层至少局部地包围所述至少一个组件接触面(23、24)，和/或所述至少一个热电极接触层(30)构造成设置在背面(10R)的背面热电极接触层，该背面热电极接触层从与绝缘层(10)垂直的方向上看至少局部地搭接和/或包围所述至少一个组件接触面(23、24)。7.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，背面热电极接触层从与绝缘层(10)垂直的方向上看完全覆盖所述至少一个组件接触面(23、24)。8.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，正面热电极接触层和背面热电极接触层通过导热组件相互热连接。9.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个热电极接触层(30)由热导率大于50W/ (mK)的材料制成。10.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个热电极接触层(30)构造成金属层。11.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一个热电极接触面(32)具有圆形或矩形的轮廓(34)。12.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一个热电极接触面(32)，在绝缘层的平面内被测量时，具有在2至50mm范围内的、特别是5至25mm范围内的最大延展。13.如前述权利要求之一所述的多层薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一个热电极接触层(30)具有I至50 μ m范围内的、特别是6至14 μ m范围内的...

【专利技术属性】
技术研发人员：U·申德勒，C·舒马赫，S·米斯林格，
申请(专利权)人：雷恩哈德库兹基金两合公司，
类型：
国别省市：