双面外延生长GaAs三结太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种双面外延生长GaAs三结太阳能电池的制备方法，包括在GaAs衬底一面依次外延生长GaAs缓冲层Inx(AlyGa1-y)1-xAs渐变层和第一结InxGa1-xAs电池；在GaAs衬底另一面依次外延生长GaAs缓冲层、第一隧穿结、第二结GaAs电池、第二隧穿结、第三结GaInP电池、GaAs帽层。本发明专利技术通过翻转GaAs衬底进行双面外延生长，既实现了隔离晶格失配产生的位错对生长在衬底反面的第二结电池和第三结电池的影响，提高了电池光电转换效率，保证了电池性能的稳定，简化了电池制作工艺、降低了电池制作成本，提高了电池的生产效率，易于实现规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池
，特别是涉及一种。
技术介绍
太阳能电池中，光电转换效率的提高始终是人们不断追求的目标。目前光电转换效率已达到的41. 6%的标准InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池技术已经不能满足于人们的进一步需求。为了使太阳能电池的光电转换效率获得进一步提升，人们在标准InGaP/GaAs/Ge 三结太阳能电池基础上不断进行技术开发。经研究发现，II1-V太阳能电池的反向外延生长已成为目前又一种提高光电转换效率的重要技术，即通过一个二次层转移的支撑物，采用晶圆键合和衬底剥离等技术将晶格失配的InGaAs底电池替代Ge底电池，完成反向外延生长II1-V太阳能电池的制作。这种反向外延生长技术使晶格失配产生的微区缺陷向上层延展，避免了晶格失配产生的位错对其他结电池的影响，保证了最先外延生长的晶格匹配顶电池和中间电池完美外延生长，从而使太阳能电池的光电转换效率获得进一步提升。但是，由于反向外延生长的太阳能电池技术不仅需要一个二次层转移的支撑物，而且采用的晶圆键合和薄膜衬底剥离技术均属于非标准的πι-v族太阳能电池的制程，这些非标准的 II1-V族太阳能电池制程无法与本文档来自技高网...

【技术保护点】
双面外延生长GaAs三结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下制备步骤：步骤1、选用厚度为500?800微米的GaAs片作为GaAs衬底；步骤2、准备好MOCVD设备，将步骤1中的GaAs衬底一面向上置入MOCVD操作室内，生长温度设置为500℃?800℃，在GaAs衬底上面依次外延生长n型掺杂的GaAs缓冲层、n型掺杂的Inx(AlyGa1?y)1?xAs渐变层和第一结InxGa1?xAs电池；步骤3、将MOCVD操作室内的GaAs衬底翻转180°，生长温度为500℃?800℃，在GaAs衬底上面依次外延生长n型掺杂的GaAs缓冲层、第一隧穿结、第二结GaAs电池、第二隧穿结、第三结Ga...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王帅，高鹏，刘如彬，康培，孙强，穆杰，
申请(专利权)人：天津蓝天太阳科技有限公司，中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：