光生伏打电池制造制造技术

光生伏打电池制造。本发明专利技术公开了一种制造至少一个半导体光生伏打电池或模块以及用于对半导体材料进行分类的方法（300）。所述方法涉及到在所述制造工艺的多个阶段（312－324）当中的每一个阶段对晶片进行发光成像，以及把获得自关于相同晶片的所述成像步骤的至少两个图像进行比较以便识别出制造工艺引发的瑕疵的发生或增大。如果所识别出的工艺引发的瑕疵超出预定的可接受度水平，则从所述制造工艺（310）中移除（351－356）所述晶片，或者可以补救所述缺陷或者将所述晶片传递到其他制造工艺以匹配其特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及硅晶片、光生伏打电池以及光生伏打电池模块的制造，具体来说涉及到在从源材料生产硅晶片时以及在制造光生伏打电池和光生伏打电池模块时所出现的问题和瑕疵(fault)。在硅光生伏打电池的情况下，当把多晶硅用于光生伏打电池制造时，这一问题最为显著。但是在单晶硅光生伏打电池制造中所述问题也很明显，并且可以使用这里所公开的装置。本专利技术不限于检测裂缝。裂缝是由制造工艺引发的瑕疵的一个在经济上非常重要的实例。本方法还可以检测诸如局部旁路(例如由于金属“刺穿”pn结导致)或者晶片污染之类的其他瑕疵。在本说明中关于现有技术的任何讨论都不应当被视为承认所述现有技术是众所周知的或者形成本领域内的共同常识的一部分。
技术介绍
利用特定半导体技术(比如硅晶片技术)制造光生伏打电池和光生伏打电池模块涉及多个阶段。在硅晶片制造、光生伏打电池制造以及光生伏打电池模块制造期间，可能会在所述晶片、完成的电池或模块中引入难以通过被用于制造质量控制的标准光学检查方法检测出来的瑕疵。此外，先前存在的瑕疵可能会在所述光生伏打电池及模块的制造步骤期间增大，并且可能导致在光生伏打电池制造期间严重损坏所述晶片，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造至少一个半导体光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：获得与半导体光伏器件制造工艺的至少一个阶段相关联的至少一个半导体晶片的多个图像；对所述多个图像中的至少两个图像进行比较，以便识别出所述至少一个晶片中的瑕疵的发生或增大；以及确定所识别出的这种瑕疵的发生或增大是否超出预定的可接受度水平。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：RA巴多斯，T特鲁普克，
申请(专利权)人：BT成像股份有限公司，
类型：发明
国别省市：