调控背电极从优取向达到高效率铜铟镓硒的技术制造技术

本发明专利技术关于一种可提升铜铟镓硒(CIGS)太阳电池光电转换效率的方法，藉由调整背电极Mo的从优取向，而调整吸收层的纵向结构，并改善介面性质，达到高效率的目标。本发明专利技术为一种可改善铜铟镓硒(CIGS)太阳电池填充因子与电流密度的方法，藉由调整底层的背电极从优取向为来成长铜铟镓硒吸收层，主要是经由调整背电极Mo的成长压力来形成所需的(110)从优取向强度，如此可增强铜铟镓硒的(220/204)取向，而提升铜铟镓硒(CIGS)太阳电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
调控背电极从优取向达到高效率铜铟镓砸的技术
本专利技术关于一种可提升铜铟镓硒(CIGS)太阳电池光电转换效率的方法，藉由调整背电极Mo的从优取向，而调整吸收层的纵向结构，并改善介面性质，达到高效率的目标。
技术介绍
目前由于石化能源的渐渐耗尽，核能发电的危险性，火力发电的污染性，使得新兴能源的发展逐渐获得人们的关注，以太阳电池种类分类的话，可分为(I)单、多晶硅，因发展较早，目前市占率约80%;⑵新兴的薄膜太阳电池约占市场10%，包括非晶硅、微晶硅、碲化镉、铜铟镓硒等；(3)其余材料，如染料敏化太阳电池等，则因大面积生产与衰竭问题尚待解决，故量非常少。而本专利技术技术背景为针对铜铟镓硒(CIGS)太阳电池的整体转换效率做提高的方法，一般的铜铟镓硒皆为(112)从优取向的成长，此乃因为薄膜表层的铜空位缺陷所造成，而高效的铜铟镓硒则应为(220/204)取向，这可仰赖底层的背电极的结构来做调整。
技术实现思路
本专利技术为一种可改善铜铟镓硒(CIGS)太阳电池填充因子与电流密度的方法，藉由调整底层的背电极从优取向为来成长铜铟镓硒吸收层，主要是经由调整背电极Mo的成长压力来形成所需的(110)本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术关于一种可提升铜铟镓硒太阳电池光电转换效率的方法，藉由调整背电极?????????Mo的从优取向，进而调整吸收层的纵向结构，并改善介面性质，达到铜铟镓硒组件高效????????????率的目标。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑佳仁，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：