可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极技术方法技术

技术编号:8490928 阅读:142 留言:0更新日期:2013-03-28 18:06
本发明专利技术提供一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光处理背电极方法,此技术方法包括玻璃、第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、激光退火处理、与第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序沉积第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、以激光处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后沉积第二透明导电层。本发明专利技术可将基材型硅薄膜薄膜太阳能电池的背电极表面平整化,进而改善微晶硅吸收层结构,提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关於一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光处理背电极技术方法,其目的系将基材型硅薄膜太阳能的背电极金属薄膜表面平整化,以提升薄膜太阳能电池效率。
技术介绍
目前,业界关於基材型微晶硅薄膜太阳能电池的背电极,其金属层薄膜在镀膜后并无任何的处理,但如此缺点是微晶硅薄膜在背电极上不易形成大晶粒的结构。微晶硅薄膜成长於基材型太阳能电池的背电极时,对於背电极膜面的平整程度相当敏感,完全平坦的背电极膜面虽易形成大晶粒的微晶硅薄膜,但由於反射率过高会导致吸收变小转换效率 较低;相对的薄膜表面过於粗糙的背电极虽然吸收较高,但微晶硅薄膜沉积时却不易形成大晶粒的结构。
技术实现思路
本专利技术关於一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极方法,此技术方法包括玻璃、第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、激光退火处理、与第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序沉积第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、以激光处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后沉积第二透明导电层薄膜。本专利技术可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化,进而改善微晶硅吸收层结构,提升基材型硅薄膜太阳能电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极方法,此技术方法包括玻璃、第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、激光退火处理、与第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序沉积第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、以激光处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后沉积第二透明导电层薄膜。本专利技术可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化,进而改善微晶硅吸收层结构,提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈宏昌刘幼海刘吉人
申请(专利权)人:吉富新能源科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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