一种多结太阳电池宽光谱减反射膜及其制备方法技术

本发明专利技术的多结太阳电池宽光谱减反射膜及其制备方法，步骤包括选择一种高折射率材料、一种低折射率材料作为镀膜材料，改进电子束蒸发设备，用椭偏仪测试材料光学参数（n，k），输入优化程序；确定膜系层数，优化程序中输入多结电池的结构参数，运行优化程序计算出最优膜厚；接近电池表面的材料为高折射率材料，然后在高折射率材料上镀低折射率材料形成HL，递增HL形成宽光谱减反射膜结构，然后将折射率小于1.2的材料加在所述反射膜结构上。本发明专利技术的优点是选用材料均为常见材料即可，通过优化厚度，能有效降低300～1800nm的较宽范围内电池的反射率。该方法工艺简便，又能得到适合多结电池宽光谱范围的减反射膜，实用性强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种多结太阳电池
的方法，具体涉及。
技术介绍
GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池在空间应用中(AMO)的效率已经接近极限，为了进一步提高太阳电池的效率，对AMO光谱进行更好的划分，新的空间太阳电池更倾向于四结至六结电池的研究。多结太阳电池利用的光谱范围扩展，需要减反射膜的作用范围拓宽到 300-1800nm,以保证光的有效吸收。目前的三结电池可以用简单的双层减反射膜控制反射， 而对于更宽光谱的减反射要求，必须使用更复杂的多层薄膜结构，形成折射率梯度变化的减反射膜体系。目前国内还未有四结以上的成熟电池出现，因此对适合多结太阳电池的宽光谱减反射膜的研究近乎空白。而国外多结太阳电池的发展更早，美国的Emcore公司及Spectrolab公司等相继报道了四结、五结甚至六结的太阳电池，效率较传统的三结太阳电池有了很大突破。因此，国外对减反射膜也相应地进行了更为深入的研究。Lucas Alves 等人的专利《Antireflection Coating for Multi-junction Solar Cells》(US 2011/0232745 Al)中就已报道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多结太阳电池宽光谱减反射膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、选择一种高折射率材料、一种低折射率材料作为镀膜材料，用椭偏仪测试两种材料的光学参数（n，k），输入优化程序；步骤2、在电子束蒸发设备中装入电机使基片旋转，同时令基片法向与电子束成一定角度，在基片上蒸镀的材料为低折射率材料，用椭偏仪测试其光学参数（n，k），输入优化程序；步骤3、确定膜系层数，优化程序中输入多结电池的结构参数，包括所述多结电池每一层厚度及其光学参数，运行优化程序计算出最优膜厚；接近电池表面的材料为高折射率材料，然后在高折射率材料上镀低折射率材料形成HL；步骤4、重复所述步骤3中形成HL的过程，依次递增HL个...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方昕，张玮，王艺帆，
申请(专利权)人：上海空间电源研究所，
类型：发明
国别省市：