用于光伏钝化的前体制造技术

本发明专利技术公开了在光伏电池上产生钝化层的沉积方法。所述方法包括沉积包含至少进一步包括氧化硅和氮化硅层的双层的钝化层。在一个方面，用于沉积氧化硅层或氮化硅层的硅前体分别选自SiRxHy族，或选自SiRxH族、硅烷及其组合，其中，在SiRxHy中，x+y＝4，y≠4，且R可以独立地选自：C1-C8直链烷基，其中该配体可以是饱和或不饱和的；C1-C8支链烷基，其中该配体可以是饱和或不饱和的；C1-C8环烷基，其中该配体可以是饱和的、不饱和的或芳族的；和NR*3，其中R*可以独立地是：氢；或直链、支链、环状、饱和或不饱和的烷基。本发明专利技术还公开了包含所述钝化层的光伏器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过CVD法制备的基于硅的介电材料的领域。特别是，它涉及制造这些材料的薄膜的方法及其作为光伏器件中的钝化或屏障涂层(barrier coating)的用途。
技术介绍
光伏(“PV”)电池将光能转换成电能。许多光伏电池使用单晶硅或多晶硅作为衬底来制造。该电池中的硅衬底通常用正或负导电类型的掺杂剂改性，且厚度为50-500微米的级别。在本申请的全文中，意图面向入射光的衬底(如晶片)的表面被指定为前表面，且与前表面相对的表面被称为后表面。按照惯例，正掺杂的硅通常被指定为“P”，其中空穴是多数电载流子(majority electrical carrier)。负掺杂的娃被指定为“η”,其中电子是多数电载流子。光伏电池运行的关键是ρ-η结的产生，通常通过在硅衬底的前表面上进一步涂布(dope)薄层来形成(附图说明图1)。这样的层通常被称为作为发射极层，而整体硅(bulksilicon)被称为吸收体层。根据器件的配置，发射极可以是P-掺杂的或η-掺杂的。最优光伏器件效率的关键要求是硅的前表面和后表面的有效钝化。任何固体的表面通常代表与整体(bulk)的晶体周期性的大的中断(di本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在腔室中在光伏电池上沉积至少一个钝化层的方法，包括以下步骤：提供具有后表面和前表面的光伏电池；提供第一硅前体；提供氧源；在光伏电池的至少一个表面上沉积具有5?70nm厚度的氧化硅层；提供第二硅前体；提供氮源；和在氧化硅层上沉积具有20?200nm厚度的氮化硅层；其中，具有25?600nm厚度的钝化层包括包含所述氧化硅层和所述氮化硅层的至少一个双层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·K·哈斯，A·麦利卡尔珠南，R·G·里奇韦，K·A·哈奇森，M·T·萨沃，
申请(专利权)人：气体产品与化学公司，
类型：发明
国别省市：