形成硫化物半导体膜及其太阳能电池的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成硫化物半导体膜的方法及一种包含此硫化物半导体膜的太阳能电池的制作方法。形成硫化物半导体膜的方法包含涂布一层前驱物溶液于一基板上，以及进行一回火工艺，使此层前驱物溶液形成硫化物半导体膜。其中，此前驱物溶液包含溶剂、金属硫化物纳米粒子，以及金属离子及金属络合物离子至少其中之一，且金属离子及/或金属络合物离子是分布于金属硫化物纳米粒子的表面。金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属络合物离子所包括的金属是选自周期表第I、II、III及IV族元素且包含此硫化物半导体材料的所有金属元素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种以溶液工艺形成半导体膜的方法，特别是涉及形成硫化物半导体膜及包含此硫化物半导体膜的太阳能电池的方法。
技术介绍
由于近年来地球上能源短缺的问题，太阳能电池已渐引起人们关注。太阳能电池可以简单区分为硅晶太阳能电池及薄膜太阳能电池。硅晶太阳能电池因为工艺技术成熟及转换效率较高成为目前市场的主流。但是，由于硅晶太阳能电池的材料及生产成本高昂，目前尚无法普及于市场。相对地，薄膜太阳能电池通常是将光吸收层制作于非晶硅的基板上， 例如是玻璃基板。相较于硅晶太阳能电池所使用的硅晶圆基板，玻璃基板价格便宜且没有短缺的问题。所以，薄膜太阳能电池已被视为未来取代硅晶太阳能电池的产品。薄膜太阳能电池可以根据其吸收层的材料种类，更进一步区分为非晶硅、多晶硅、 締镉(Cadmium Telluride,CdTe)、铜铟嫁锡(Copper indium gallium selenide,CIGS)、染料及其它有机薄膜太阳能电池等等。其中，CIGS薄膜太阳能电池目前的转换效率已经可以达到20%，和硅晶太阳能电池的转换效率相去不远。此外，一种具有和CIGS相似晶格结构的四元化合物半导体材料，铜锌本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，包含有：涂布一层前驱物溶液于一基板上，此前驱物溶液包含一溶剂、金属硫化物纳米粒子，以及金属离子及金属络合物离子至少其中之一，其中，所述金属离子及/或所述金属络合物离子是分布于所述金属硫化物纳米粒子的表面；以及进行一回火工艺，使所述层前驱物溶液形成所述硫化物半导体膜；其中，金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属络合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族所构成的组合且包含所述硫化物半导体材料的所有金属元素。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖曰淳，杨丰瑜，丁晴，
申请(专利权)人：旺能光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：