【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体膜浆料的配方及形成方法，特别是涉及硫化物半导体膜浆料的配方及形成方法。
技术介绍
由于近年来地球上能源短缺的问题，太阳能电池已渐引起人们关注。太阳能电池可以简单区分为硅晶太阳能电池及薄膜太阳能电池。硅晶太阳能电池因为工艺技术成熟及转换效率较高成为目前市场的主流。但是，由于硅晶太阳能电池的材料及生产成本高昂，目前尚无法普及于市场。相对地，薄膜太阳能电池通常是将光吸收层制作于非晶硅的基板上， 例如是玻璃基板。相较于硅晶太阳能电池所使用的硅晶圆基板，玻璃基板价格便宜且没有短缺的问题。所以，薄膜太阳能电池已被视为未来取代硅晶太阳能电池的产品。薄膜太阳能电池可以根据其吸收层的材料种类，更进一步区分为非晶硅、多晶硅、 締镉(Cadmium Telluride,CdTe)、铜铟嫁锡(Copper indium gallium selenide,CIGS)、染料及其它有机薄膜太阳能电池等等。其中，CIGS薄膜太阳能电池目前的转换效率已经可以达到20%，和硅晶太阳能电池的转换效率相去不远。此外，一种具有和CIGS相似晶格结构的四元化合物半导体材料，铜锌锡硫...
【技术保护点】
一种浆料成分，其特征在于，包含有：一溶剂；多个金属硫化物纳米粒子；以及至少一种选自金属离子与金属络合物离子所构成组合的离子，其分布于所述金属硫化物纳米粒子的表面，并用以使所述金属硫化物纳米粒子分散于所述溶剂中；其中，所述金属硫化物纳米粒子、所述金属离子及所述金属络合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族元素所构成的组合，并且包含一硫化物半导体材料的所有金属元素。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖曰淳，杨丰瑜，丁晴，
申请(专利权)人：旺能光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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