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本发明公开了一种用以形成硫化物半导体膜的浆料成分以及此浆料成分的制作方法。此浆料成分包含一溶剂、多个金属硫化物纳米粒子及至少一种选自金属离子及金属络合物离子所构成组合的离子。金属离子及/或金属络合物离子分布于金属硫化物纳米粒子表面并用以将金...
该专利属于旺能光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺能光电股份有限公司授权不得商用。

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