当前位置: 首页 > 专利查询>厦门大学专利>正文

一种同质结SnS纳米线太阳能电池制造技术

技术编号:8490895 阅读:225 留言:0更新日期:2013-03-28 18:01
一种同质结SnS纳米线太阳能电池,涉及太阳能电池。设有透明氧化铟锡导电薄膜层、同质结光活化层、绝缘封闭层、背电极层和Ti/Al金属欧姆层,所述透明氧化铟锡导电薄膜层、同质结光活化层、绝缘封闭层、背电极层和Ti/Al金属欧姆层依次相叠。采用SnS纳米线阵列,通过参杂P或B的方法形成p-SnS与n-SnS构成的同质结纳米线;在SnS的空隙中填入PMMA作为绝缘层,通过丙酮的清洗使得SnS纳米线的尖端部分露出并作为引出电极,在样品表面镀上一层透明氧化铟锡导电薄膜层作为引出电极;在SnS露出的部分沉积上Ti/Al成为接触电极;在两面的引出电极上引出外接线,即得。具有较强光吸收能力和较高光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池,尤其是涉及一种同质结SnS纳米线太阳能电池
技术介绍
随着人类文明的持续发展,消耗的能源也随之日益增多。迄今为止,大部分能源都来自于自然界生长的树木,这些木材后来变为煤、石油、天然气等。即所谓的化石燃料,但它们总有一天会被消耗殆尽。第一次使人类感到能源危机的是1973年发生的石油危机,即阿拉伯石油产油国使石油价格一举上涨了三倍,给世界经济带来了大混乱.以此为转机,人们提高了对“资源是有限的”的认识,于是替代能源的开发在世界范围内着手进行。太阳是一个巨大的能源,它以光辐射的形式每秒钟向太空发射约3. 8X 102°MW能量。有22亿分之一 投射到地球上,太阳光被大气层反射、吸收之后,还有70%透射到地面。尽管如此,地球上一年中接收到的太阳能仍然高达1.8X1018KW/h。太阳能,作为一种取之不尽、用之不竭的无污染的洁净能源,已被公认为未来解决能源危机的最有效能源。目前,太阳电池用硅材料大部分来源于半导体硅材料的等外品和单晶硅的头尾料,不能满足光伏工业发展的需要。同时硅材料正是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分,因此为了适应太阳电池高效率、低成本、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同质结SnS纳米线太阳能电池,其特征在于设有透明氧化铟锡导电薄膜层、同质结光活化层、绝缘封闭层、背电极层和Ti/Al金属欧姆层,所述透明氧化铟锡导电薄膜层、同质结光活化层、绝缘封闭层、背电极层和Ti/Al金属欧姆层依次相叠;所述透明氧化铟锡导电薄膜层用于引出电极,同质结光活化层作为光活化层,绝缘封闭层用于将活化层与外界隔离,背电极层用于背面引出电极,Ti/Al金属欧姆层作为引出电极;所述同质结光活化层由p?SnS层和n?SnS层组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:岳光辉林友道彭栋梁陈远志文鑫郭惠章王来森
申请(专利权)人:厦门大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1