【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无源器件测量领域，特别是指一种无源器件电学参数的去嵌测量方法和系统。
技术介绍
1、在高频(如射频、毫米波)集成电路测试中，直接测量器件的真实性能(如s参数)会受到测试坏境(探针、焊盘、互连线等)的寄生效应影响。这些非理想因素会引入误差，导致测量结果无法反映器件本身的特性。而gsg是一种常见的微波测试结构，其“地-信号-地”的布局能在一定程度上减少串扰、提供稳定的参考地，广泛用于片上器件的高频测量。然而，gsg结构本身包括非被测器件(如焊盘、传输线)的寄生参数，这些寄生效应会叠加在待测器件(dut)的测量中。如何从gsg测试结构的整体测量数据中剥离寄生效应(如焊盘电阻、传输线损耗)，提取dut的真实性能，这是去嵌技术需要解决的关键问题。
2、在集成电路高速发展的今天，无源器件的设计与制作材料也在不断发展，如具有高电容密度的深槽电容器等，其由于深槽结构以及电极材料的影响，电极间耦合的复杂度也随之上升，由于高频下寄生效应与dut特性相互影响产生的非线性耦合，使得更加难以直接分离寄生参数。同时不同的gsg布局(如尺寸...
【技术保护点】
1.一种无源器件电学参数的去嵌测量方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种无源器件电学参数的去嵌测量方法，其特征在于，采用以下公式将所述S参数矩阵进行参数转换得到对应的Y参数矩阵：
3.如权利要求1所述的一种无源器件电学参数的去嵌测量方法，其特征在于，根据所述原始测试电路和所述开路测试电路对应的Y参数矩阵计算所述待测无源器件进行参数剥离后的阻抗参数Zdut：
4.如权利要求3所述的一种无源器件电学参数的去嵌测量方法，其特征在于，测试电路的所述输入端口、所述输出端口和所述金属传输线引起的串联电阻和串联电感之和Zro
<...【技术特征摘要】
1.一种无源器件电学参数的去嵌测量方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种无源器件电学参数的去嵌测量方法，其特征在于，采用以下公式将所述s参数矩阵进行参数转换得到对应的y参数矩阵：
3.如权利要求1所述的一种无源器件电学参数的去嵌测量方法，其特征在于，根据所述原始测试电路和所述开路测试电路对应的y参数矩阵计算所述待测无源器件进行参数剥离后的阻抗参数zdut：
4.如权利要求3所述的一种无源器件电学参数的去嵌测量方法，其特征在于，测试电路的所述输入端口、所述输出端口和所述金属传输线引起的串联电阻和串联...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。