光电转换装置制造方法及图纸

本发明专利技术的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光电转换装置。
技术介绍
近年，从能 源枯竭的问题和大气中的CO2增加这样的地球环境问题等出发，期望清洁能源的开发，尤其使用了太阳能电池的太阳能发电作为新能源被开发、实用，并步入发展的道路。当前最普及的太阳能电池是将光能转换成电能的光电转换层使用了单晶硅或多晶硅等的块状(〃 ^々)晶体的块状晶体类太阳能电池，通过大块晶体类太阳能电池的产量扩大，太阳能电池模块的价格降低，太阳能发电系统的普及急剧扩大。另外，光电转换层由薄膜形成，由此与上述大块晶体类太阳能电池相比，能够大幅削减材料的使用量并进一步降低制造成本，作为这样的下一代太阳能电池技术，薄膜类太阳能电池的开发正在进行。作为这样的薄膜类太阳能电池可以列举例如薄膜硅太阳能电池(非晶硅太阳能电池、微晶硅太阳能电池及非晶硅/微晶硅串联太阳能电池等)、CIS (CuInSe2)薄膜太阳能电池、CIGS (Cu (In，Ga) Se2)薄膜太阳能电池、及CdTe太阳能电池等。上述薄膜类太阳能电池一般是使用等离子体CVD装置、溅射装置或蒸镀装置等的真空成膜装置，将构成半导体层或电极层的薄膜层叠在玻璃或金属箔等的大面积的衬底上而制成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村和仁，奈须野善之，中野孝纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：