太阳能电池用导电性糊组合物制造技术

技术编号:8391074 阅读:146 留言:0更新日期:2013-03-08 03:34
本发明专利技术提供一种太阳能电池用导电性糊组合物,其在n层薄的浅结发射极结构的太阳能电池中采用烧成贯通法形成电极时,容易控制电极材料的侵入量,并且可容易地得到欧姆接触。受光面电极由相对于100重量份的银在1~10重量份的范围含有铅玻璃的厚膜银构成,所述铅玻璃是下述组成的铅玻璃,含有20~62摩尔%的范围内的PbO;1~18摩尔%的范围内的B2O3、18~65摩尔%的范围内的SiO2,并且Pb/Si摩尔比在0.5~1.7的范围内;0.6~18摩尔%的范围内的Li2O;0~6摩尔%的范围内的Al2O3;0~6摩尔%的范围内的TiO2;0~30摩尔%的范围内的ZnO;0~6摩尔%的范围内的P2O5;0~4摩尔%的范围内的Sb2O5的比例,所以尽管线宽度变细为100μm左右,也可在其与n层之间得到良好的欧姆接触,接触电阻变低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适合于采用烧成贯通法(fire through method)形成的太阳能电池电极用的导电性糊组合物。·
技术介绍
例如,一般的硅系太阳能电池具有下述结构在作为P型多晶半导体的硅基板的上面隔着n+层具备防反射膜和受光面电极,并且,在其下面隔着ρ+层具备背面电极(以下,不区别它们时简单称为「电极」),通过电极取出由于受光而在半导体的P-η结产生的电力。上述防反射膜是用于保证充分的可见光透射率,并且降低表面反射率从而提高受光效率的膜,由氮化硅、二氧化钛、二氧化硅等的薄膜构成。上述的防反射膜由于电阻值高,因此成为效率良好地取出在半导体的p-n结产生的电力的障碍。因此,太阳能电池的受光面电极采用例如被称为烧成贯通的方法形成。该电极形成方法,例如在n+层上的整个面上设置上述防反射膜后,采用例如丝网印刷法在该防反射膜上以适当的形状涂布导电性糊,并实施烧成处理。上述导电性糊,例如是以银粉末、玻璃料(将玻璃原料熔融并急冷后,根据需要粉碎成的鳞片(flake)状或者粉末状的玻璃的碎料)、有机质载色剂和有机溶剂为主成分的糊,在烧成过程中,该导电性糊中的玻璃成分破坏防反射膜,因此由导电性糊本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉野泰川本裕介
申请(专利权)人:株式会社则武
类型:
国别省市:

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