【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及为了对作为半导体装置的基板而已知的硅晶片的一面进行研磨的硅研磨方法以及硅晶片研磨用组合物，涉及降低环境负荷并且实现研磨效率的提高的技术。
技术介绍
1、以往，对于硅晶片(silicon wafer)的镜面研磨，使用了浆料状的研磨用组合物，该研磨用组合物包含作为研磨磨粒的二氧化硅磨粒、含有碱性化合物的研磨促进剂以及水。例如，日本专利第6960341号公报中记载的研磨用组合物为这种组合物。
2、在供给了这样的研磨用组合物的状态下使用研磨垫(研磨布)对硅晶片进行了研磨的情况下，从研磨装置大量地排出使用完的二氧化硅磨粒，环境负荷高。另外，添加到这样的研磨用组合物中的研磨促进剂含有胺化合物，有时在该胺化合物中含有作为毒物而已知的氢氧化四甲基铵(tmah)，使作业环境恶化。
3、在先技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本专利第6960341号公报
技术实现思路
1、对此，进行了以下尝试：使用排出的磨粒少的内包研磨磨粒研磨垫，在研磨液(水)的供给下专门利用内包于研磨垫的研磨磨粒来进行硅晶片的研磨。但是，虽然减少了从研磨装置排出的使用完的二氧化硅磨粒的量，但研磨效率(研磨速率)低，因产生由研磨屑所致的划痕伤而不能够获得研磨品质。
2、本专利技术是以上述的情况为背景而完成的，其目的在于提供在硅的研磨中为了降低环境负荷而以使用排出的磨粒少的内包研磨磨粒研磨垫为前提的、维持研磨品质并且提高基于该内包研磨磨粒研磨垫的研磨效率的
3、本专利技术人以上述的情况为背景而反复进行了各种研究，结果发现：通过以使用内包研磨磨粒研磨垫为前提，使向该内包研磨磨粒研磨垫上供给的硅晶片用研磨组合物包含如以下那样不使用毒物和烈性品而使对硅的化学反应性提高的物质，能以高的效率进行硅晶片的镜面研磨。即，为了容易与硅晶片反应，添加使硅研磨用组合物成为碱性的碱剂，根据需要添加有机胺作为与硅反应的物质。有机胺可以单独加入到水中来维持碱性。或者，为了提高碱性的稳定性，进一步将碱剂与有机胺一起加入到水中。在这样地将硅研磨用组合物称为有机胺+水、或有机胺+碱剂+水的研磨用组合物中，作为有机胺，使用了哌嗪、乙二胺、二亚乙基三胺，作为碱剂，使用了与氢氧化四甲基铵很相似的季胺、在低浓度下不会成为烈性品的氨水。
4、第1专利技术的要旨在于，一种硅研磨方法，是使用内包有研磨磨粒的内包研磨磨粒研磨垫在不包含研磨磨粒的硅研磨用组合物的供给下对硅晶片进行研磨的硅研磨方法，所述硅研磨用组合物包含有机胺和水，所述硅研磨用组合物的ph值为10.6～12.8。
5、第2专利技术的要旨在于，在第1专利技术中，所述硅研磨用组合物除了包含所述有机胺和水以外还包含无机碱剂，所述无机碱剂为2.82mol/l以下的浓度的氢氧化铵或0.93mol/l以下的浓度的氢氧化钾。
6、第3专利技术的要旨在于，在第2专利技术中，所述无机碱剂的浓度为0.030～0.100mol/l。
7、第4专利技术的要旨在于，在第1专利技术至第3专利技术中的任一专利技术中，所述有机胺为0.025～0.100mol/l。
8、第5专利技术的要旨在于，在第1专利技术至第4专利技术中的任一专利技术中，所述有机胺为伯胺、仲胺或具有伯胺和仲胺的物质。
9、第6专利技术的要旨在于，在第5专利技术中，所述有机胺为乙二胺、哌嗪或二亚乙基三胺。
10、第7专利技术的要旨在于，在第1专利技术至第6专利技术中的任一专利技术中，所述内包研磨磨粒研磨垫中所内包的研磨磨粒为二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化铝、碳化硅之中的至少一者。
11、第8专利技术的要旨在于，一种硅研磨用组合物，是在使用内包有研磨磨粒的内包研磨磨粒研磨垫对硅晶片进行研磨时向所述内包研磨磨粒研磨垫上供给的硅研磨用组合物，其包含有机胺和水，所述硅研磨用组合物的ph值为10.6～12.8。
12、第9专利技术的要旨在于，在第8专利技术中，所述硅研磨用组合物除了包含所述有机胺和水以外还包含无机碱剂，所述无机碱剂为2.82mol/l以下的浓度的氢氧化铵或0.93mol/l以下的浓度的氢氧化钾。
13、第10专利技术的要旨在于，在第9专利技术中，所述无机碱剂的浓度为0.030～0.100mol/l。
14、第11专利技术的要旨在于，在第8专利技术至第10专利技术中的任一专利技术中，所述有机胺为0.025～0.100mol/l。
15、第12专利技术的要旨在于，在第8专利技术至第11专利技术中的任一专利技术中，所述有机胺为伯胺、仲胺或具有伯胺和仲胺的物质。
16、第13专利技术的要旨在于，在第12专利技术中，所述有机胺为乙二胺、哌嗪或二亚乙基三胺。
17、根据第1专利技术的硅研磨方法，该硅研磨方法是使用内包有研磨磨粒的内包研磨磨粒研磨垫在不包含研磨磨粒的硅研磨用组合物的供给下对硅晶片进行研磨的硅研磨方法，所述硅研磨用组合物包含有机胺和水，所述硅研磨用组合物的ph值为10.6～12.8，因此，在由有机胺带来的强的碱性下硅的反应性得到提高，因此能得到高的研磨效率。
18、根据第2专利技术的硅研磨方法，所述硅研磨用组合物除了包含所述有机胺和水以外还包含无机碱剂，所述无机碱剂为2.82mol/l以下的浓度的氢氧化铵或0.93mol/l以下的浓度的氢氧化钾。由此，能维持稳定的强碱性，因此能够进一步提高硅的反应性，能得到更高的研磨效率。同时，由于无机碱剂使用低于烈性品的浓度范围的2.82mol/l(10％)以下的浓度的氢氧化铵或0.93mol/l(5％)以下的浓度的氢氧化钾，因此研磨作业环境的危险降低。
19、根据第3专利技术的硅研磨方法，所述无机碱剂的浓度为0.030～0.100mol/l，因此能维持稳定的强碱性，因此能够进一步提高硅的反应性，能得到更高的研磨效率，同时，研磨作业环境的危险降低。
20、根据第4专利技术的硅研磨方法，所述有机胺为0.025～0.100mol/l，因此在由有机胺带来的强的碱性下硅的反应性得到提高，因此能得到高的研磨效率。
21、根据第5专利技术的硅研磨方法，所述有机胺为伯胺、仲胺或具有伯胺和仲胺的物质，因此通过溶解于水中能得到强的碱性。
22、根据第6专利技术的硅研磨方法，所述有机胺为乙二胺、哌嗪或二亚乙基三胺，因此通过溶解于水中能得到强的碱性。
23、根据第7专利技术的硅研磨方法，所述内包研磨磨粒研磨垫中所内包的研磨磨粒为二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化铝、碳化硅之中的至少一者，因此能得到很好的研磨效率。
24、根据第8专利技术的硅研磨用组合物，该硅研磨用组合物是在使用内包有研磨磨粒的内包研磨磨粒研磨垫对硅晶片进行研磨时向所述内包研磨磨粒研磨垫上供给的硅研磨用组合物，其包含有机胺和水，所述硅研磨用组合物的ph值为10.6～12.8，因此在由有机胺带来的强的碱性下硅的反应性得到提高，因此能得到高的研磨效率。
25、根据第9专利技术的硅研磨用组合物，所述硅研磨用组合本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种硅研磨加工方法，其特征在于，是使用内包有研磨磨粒的内包研磨磨粒研磨垫在不包含研磨磨粒的硅研磨用组合物的供给下对硅晶片进行研磨的硅研磨加工方法，
2.根据权利要求1所述的硅研磨加工方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述无机碱剂的浓度为0.030～0.100mol/l。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述有机胺为0.025～0.100mol/l。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述有机胺为伯胺、仲胺或具有伯胺和仲胺的物质。
6.根据权利要求5所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述有机胺为乙二胺、哌嗪或二亚乙基三胺。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述内包研磨磨粒研磨垫中所内包的研磨磨粒为二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化铝、碳化硅之中的至少一者。
8.一种硅研磨用组合物，其特征在于，是在使用内包有研磨磨粒的内包研磨磨粒研磨垫对硅晶片进行研磨时向所述内包研磨磨
9.根据权利要求8所述的硅研磨用组合物，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的硅研磨用组合物，其特征在于，所述无机碱剂的浓度为0.030～0.100mol/l。
11.根据权利要求8～10的任一项所述的硅研磨用组合物，其特征在于，所述有机胺为0.025～0.100mol/l。
12.根据权利要求8～11的任一项所述的硅研磨用组合物，其特征在于，所述有机胺为伯胺、仲胺或具有伯胺和仲胺的物质。
13.根据权利要求8～12的任一项所述的硅研磨用组合物，其特征在于，所述有机胺为乙二胺、哌嗪或二亚乙基三胺。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种硅研磨加工方法，其特征在于，是使用内包有研磨磨粒的内包研磨磨粒研磨垫在不包含研磨磨粒的硅研磨用组合物的供给下对硅晶片进行研磨的硅研磨加工方法，
2.根据权利要求1所述的硅研磨加工方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述无机碱剂的浓度为0.030～0.100mol/l。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述有机胺为0.025～0.100mol/l。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述有机胺为伯胺、仲胺或具有伯胺和仲胺的物质。
6.根据权利要求5所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述有机胺为乙二胺、哌嗪或二亚乙基三胺。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的硅研磨加工方法，其特征在于，所述内包研磨磨粒研磨垫中所内...
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