光电转换装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够通过简单的处理工序提高光电转换装置的输出的制造方法。一种光电转换装置（100）的制造方法，包括：在基板（1）上形成第一发电元件层（91）的工序；在该第一发电元件层（91）上形成中间接触层（5）的工序；在该中间接触层（5）上形成第二发电元件层（92）的工序，其中，包括如下工序中的至少一个工序：在形成了所述第一发电元件层（91）之后，将所述基板（1）在大气中以室温保持5小时以上且25小时以下；在形成了所述中间接触层（5）之后，将所述基板（1）在大气中以室温保持20小时以上且50小时以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光电转换装置，尤其是涉及利用制膜来制作发电层的薄膜系太阳能电池。
技术介绍
·作为将太阳光的能量转换为电能的光电转换装置，已知有具备光电转换层的薄膜硅系太阳能电池，该光电转换层由P型硅系半导体(P层)、I型硅系半导体(i层)及η型硅系半导体(η层)构成。作为薄膜硅系太阳能电池的长处，可列举出容易大面积化、膜厚减薄至结晶系太阳能电池的1/100左右、材料少等。因此，薄膜硅系太阳能电池与结晶系太阳能电池相比能够以低成本制造。在本
中，转换效率的提高成为重要的课题，已提出一种串联型太阳能电池，具有从基板侧起依次层叠由非晶硅构成的发电元件层及由结晶硅构成的发电元件层而成的光电转换层。在串联型太阳能电池中，以抑制非晶硅层与结晶硅层之间的掺杂剂相互扩散、及调整光量分配为目的，而插入由透明导电膜构成的中间接触层。作为中间接触层，通常设置I层Ga掺杂ZnO (GZO)或Al掺杂ZnO (AZO)等的透明导电膜。通常，光电转换层通过等离子CVD法形成，中间接触层通过溅射法形成。因此，在发电元件层的形成与中间接触层的形成之间，制膜后的层从真空气氛暂时向大气气氛敞开。由此，在发电元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋保悠平，山根司，西宫立享，
申请(专利权)人：三菱重工业株式会社，
类型：
国别省市：