半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其半导体装置的制造方法，在半导体基板（1）的表面形成有磨料粒痕（62），掺杂物扩散区域（3、5）具有：沿被包含在与磨料粒痕（62）的伸长方向所形成的角度为-5°~+5°的范围内的方向伸长的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，从能源资源枯竭的问题、大气中的CO2增加这样的地球环境问题等出发， 期望清洁能源的开发，在半导体装置中，特别开发并实际应用了使用太阳能电池单元的太阳能发电作为新能源，并且已经步入了发展的道路。目前，在太阳能电池单元中，通过如下方法制造的两面电极型太阳能电池单元成为主流，即，例如使与硅基板的导电型相反的导电型的杂质向单晶或多晶硅基板的受光面扩散，从而形成pn结，并且分别在硅基板的受光面和与受光面相反一侧的背面形成电极。 另外，在两面电极型太阳能电池单元中，一般来说，通过使与硅基板相同导电型的杂质以高浓度的方式向硅基板的背面扩散，实现由背面电场效应带来的高输出化。另外，对于不在硅基板的受光面形成电极而仅在背面形成电极的背面电极型太阳能电池单元而言，也进行了研究开发(例如，参照专利文献I (日本特开2007-49079号公报)O以下，参照图28 Ca) 图28 Cf)的示意剖视图，对现有的背面电极型太阳能电池单元的制造方法的一个例子进行说明。首先，如图28 (a)所示，在将掩膜浆料(V >夕'' 一 > 卜)102丝网印刷(>本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田健治，舩越康志，冈宏幸，冈本谕，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：