半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其半导体装置的制造方法，在半导体基板（1）的表面形成有磨料粒痕（62），掺杂物扩散区域（3、5）具有：沿被包含在与磨料粒痕（62）的伸长方向所形成的角度为-5°~+5°的范围内的方向伸长的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，从能源资源枯竭的问题、大气中的CO2增加这样的地球环境问题等出发， 期望清洁能源的开发，在半导体装置中，特别开发并实际应用了使用太阳能电池单元的太阳能发电作为新能源，并且已经步入了发展的道路。目前，在太阳能电池单元中，通过如下方法制造的两面电极型太阳能电池单元成为主流，即，例如使与硅基板的导电型相反的导电型的杂质向单晶或多晶硅基板的受光面扩散，从而形成pn结，并且分别在硅基板的受光面和与受光面相反一侧的背面形成电极。 另外，在两面电极型太阳能电池单元中，一般来说，通过使与硅基板相同导电型的杂质以高浓度的方式向硅基板的背面扩散，实现由背面电场效应带来的高输出化。另外，对于不在硅基板的受光面形成电极而仅在背面形成电极的背面电极型太阳能电池单元而言，也进行了研究开发(例如，参照专利文献I (日本特开2007-49079号公报)O以下，参照图28 Ca) 图28 Cf)的示意剖视图，对现有的背面电极型太阳能电池单元的制造方法的一个例子进行说明。首先，如图28 (a)所示，在将掩膜浆料(V >夕'' 一 > 卜)102丝网印刷(> 夕 U 印刷)在具有η型或P型导电型的半导体基板101的受光面侧的整个面上并使其干燥后，在半导体基板101的背面侧局部地设置开口部114并丝网印刷掩膜浆料102。其次，如图28(b)所示，使η型掺杂物104从半导体基板101的背面的开口部114 扩散，从而形成η型掺杂物扩散区域103。然后，全部除去半导体基板101的受光面侧及背面侧的掩膜浆料102，如图28 (C) 所示，当再次将掩膜浆料102丝网印刷在半导体基板101的受光面侧的整个面上并使其干燥后，在半导体基板101的背面侧局部地设置开口部115并丝网印刷掩膜浆料102。然后，如图28 (d)所示，使P型掺杂物106从半导体基板101的背面的开口部115 扩散，从而形成P型掺杂物扩散区域105。然后，如图28 Ce)所示，在通过对半导体基板101的受光面侧的表面进行纹理蚀刻(y^\工〃子 > 夕'')而形成纹理结构108后，在纹理结构108上形成防反射膜109， 并且在半导体基板101的背面侧形成钝化膜107。然后，如图28 (f)所示，在半导体基板101的背面的钝化膜107设置开口部，该开口部使η型掺杂物扩散区域103及P型掺杂物扩散区域105各自的表面露出，之后，通过该开口部，形成与η型掺杂物扩散区域103接触的η型用电极112，并且形成与ρ型掺杂物扩散区域105接触的P型用电极113。如以上所述，制作出了现有的背面电极型太阳能电池单J Li ο现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2007-49079号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题但是，在现有的背面电极型太阳能电池单元中，存在η型掺杂物扩散区域103及ρ 型掺杂物扩散区域105不能分别形成在规定的区域并且不能稳定地得到良好的特性的问题。这样的问题不仅是背面电极型太阳能电池单元的问题，也是包含两面电极型太阳能电池单元等太阳能电池单元在内的半导体装置整体的问题。鉴于上述情况，本专利技术的目的在于，提供一种能够稳定地得到良好的特性的。用于解决技术问题的技术手段本专利技术的半导体装置具有半导体基板、设置在半导体基板的一个表面的掺杂物扩散区域，在半导体基板的表面形成磨料粒痕(砥粒痕)，掺杂物扩散区域具有沿被包含在与磨料粒痕的伸长方向所形成的角度为-5° +5°的范围内的方向伸长的部分。这里，在本专利技术的半导体装置中，优选的是，掺杂物扩散区域具有η型掺杂物扩散区域和P型掺杂物扩散区域，所述半导体装置还具有设置在η型掺杂物扩散区域上的η型用电极、设置在P型掺杂物扩散区域上的P型用电极。另外，本专利技术的半导体装置的制造方法包括在半导体基板的表面形成沿一个方向伸长的磨料粒痕的工序；在半导体基板的表面的一部分上设置掩膜浆料的工序，该掩膜浆料具有沿被包含在与磨料粒痕的伸长方向所形成的角度为-5° +5°的范围内的方向伸长的部分；在半导体基板从掩膜浆料露出的露出面形成掺杂物扩散区域的工序。这里，在本专利技术的半导体装置的制造方法中，优选的是，形成磨料粒痕的工序包括通过线锯切断半导体晶块(^卜)的工序。另外，本专利技术的半导体装置的制造方法优选在形成磨料粒痕的工序与设置掩膜浆料的工序之间，包括对半导体基板的表面进行蚀刻的工序。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种能够稳定地获得良好的特性的。附图说明图I是对用线锯切断半导体晶块的工序的一个例子进行图解的示意性的立体图。图2是对将半导体晶块在多个位置切断并切出多片半导体基板的工序的一个例子进行图解的示意性的立体图。图3是图I所示的线锯的一个例子的示意性的剖视图。图4是图I所示的利用线锯切断半导体晶块而得到的半导体基板的一个例子的示意性的剖视图。图5是对除去图4所示的半导体基板的表面的切片损伤的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图。图6是图5所示的半导体基板的表面的一部分的一个例子的示意性的放大剖视图。图7是图5所示的半导体基板的表面的一部分的一个例子的示意性的立体图。图8 (a)是对在半导体基板的表面设置掩膜浆料的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图，图8 (b)是对在半导体基板的背面设置掩膜浆料的工序的一个例子进行图解的示意性的俯视图。图9 (a)是对在半导体基板的背面形成η型掺杂物扩散区域的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图，图9 (b)是对在半导体基板的背面形成η型掺杂物扩散区域的工序的一个例子进行图解的示意性的俯视图。图10 Ca)是对在半导体基板的表面设置掩膜浆料的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图，图10 (b)是对在半导体基板的背面设置掩膜浆料的工序的一个例子进行图解的不意性的俯视图。图11 (a)是对在半导体基板的背面形成P型掺杂物扩散区域的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图，图11 (b)是对在半导体基板的背面形成P型掺杂物扩散区域的工序的一个例子进行图解的示意性的俯视图。图12Ca)是对使半导体基板的背面的η型掺杂物扩散区域及P型掺杂物扩散区域露出的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图，图12 (b)是对使半导体基板的背面的η型掺杂物扩散区域及ρ型掺杂物扩散区域露出的工序的一个例子进行图解的示意性的俯视图。图13 Ca)是对在半导体基板的背面形成钝化膜的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图，图13 (b)是对在半导体基板的背面形成钝化膜的工序的一个例子进行图解的示意性的俯视图。图14 Ca)是对在半导体基板的受光面形成纹理结构的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图，图14 (b)是对在半导体基板的受光面形成纹理结构的工序的一个例子进行图解的示意性的俯视图。图15 Ca)是对在半导体基板的纹理结构上形成防反射膜的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图，图15 (b)是对在半导体基板的纹理结构上形成防反射膜的工序的一个例子进行图解的示意性的俯视图。图16 Ca)是对在半导体基板的背面的钝化膜形成接触孔的工序的一个例子进行图解的示意性的剖视图，图16 (b)是对在半导体基板的背面的钝化膜形成接触孔的工序的一个例子进行图解的示意性的俯视图。图17 C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田健治，舩越康志，冈宏幸，冈本谕，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：