太阳能电池制造技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及太阳能电池。
技术介绍
近年来，因为预期诸如石油和煤这样的现有能源将耗尽，所以对于用来代替现有能源的可选的能源的兴趣正在增加。在可选的能源中，用于从太阳能生成电能的太阳能电池已经被特别地关注。太阳能电池一般包括半导体部和电极，其中，所述半导体部分别具有不同的导电类型，例如P型和η型并且因此形成P-n结，所述电极分别连接 到不同导电类型的半导体部。当光入射在太阳能电池上时，在半导体部中产生包括电子和空穴的载流子。载流子在P-n结的影响下向η型半导体部和P型半导体部移动。S卩，电子向η型半导体部移动，空穴向P型半导体部移动。然后，由分别连接到η型半导体部和P型半导体部的不同的电极收集电子和空穴。电极利用电线彼此连接以由此获得电功率。
技术实现思路
在一个方面，提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括第一导电类型的衬底、与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起形成P-n结的发射极区、位于所述发射极区上的抗反射层、电连接到所述发射极区的前电极部和电连接到所述衬底的背电极部，其中，所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域，并且其中，位于所述第一区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区，该发射极区与所述衬底一起地形成p？n结；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部；其中，所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域，并且其中，位于所述第一区域中的所述抗反射层的厚度小于位于所述第二区域中的所述抗反射层的厚度。

【技术特征摘要】
2011.07.29 KR 10-2011-00756801.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括 第一导电类型的衬底； 与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区，该发射极区与所述衬底一起地形成p-n结； 位于所述发射极区上的抗反射层； 电连接到所述发射极区的前电极部；和 电连接到所述衬底的背电极部； 其中，所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域，并且 其中，位于所述第一区域中的所述抗反射层的厚度小于位于所述第二区域中的所述抗反射层的厚度。2.根据权利要求I所述的太阳能电池，其中，位于所述第一区域中的所述抗反射层的厚度为位于所述第二区域中的所述抗反射层的厚度的大约60%到80%。3.根据权利要求I所述的太阳能电池，其中，在所述第一区域中的所述衬底的入射表面包括每一个均具有角锥形状的多个不平坦部分，并且在所述第二区域中的所述衬底的入射表面不包括具有角锥形状的不平坦部分。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，在所述衬底的所述第一区域中的角锥形状的所述多个不平坦部分的上顶点之间的距离等于或小于大约3 μ m,并且角锥形状的所述多个不平坦部分中的每一个的高度等于或小于大约4 μ m。5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，在所述衬底的所述第一区域中的所述发射极区的入射表面包括每一个均具有角锥形状的多个不平坦部分，并且在所述衬底的所述第二区域中的所述发射极区的入射表面不包括具有角锥形状的不平坦部分。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，在所述衬底的所述第一区域中的所述发射极区的厚度基本上等于在所述衬底的所述第二区域中的所述发射极区的厚度。7.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，在所述衬底的所述第一区域中的所述抗反射层的入射表面包括每一个均具有角锥形状的多个不平坦部分，并且在所述衬底的所述第二区域中的所述抗反射层的入射表面不包括具有角锥形状的不平坦部分。8.根据权利要求I所述的太阳能电池，其中，在所述第一区域中的所述抗反射层具有大约70nm到IlOnm的厚度，并且在所述第二区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁周弘，金真阿，南正范，梁斗焕，郑寅道，郑一炯，权亨振，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：