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本发明提供一种半导体装置及其半导体装置的制造方法，在半导体基板（1）的表面形成有磨料粒痕（62），掺杂物扩散区域（3、5）具有：沿被包含在与磨料粒痕（62）的伸长方向所形成的角度为-5°~+5°的范围内的方向伸长的部分。...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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