太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池模块技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池元件、具备该太阳能电池元件的太阳能电池模块、以及太阳能电池元件的制造方法。所述太阳能电池元件具备具有p型半导体区域的半导体基体，所述p型半导体区域在其表层部设有具有Si-O键的一个以上的表层内部区域，在该表层内部区域上设有钝化层。所述太阳能电池元件的制造方法包括：基板准备工序，准备具有p型半导体区域的半导体基体；表面处理工序，将所述p型半导体区域的表面暴露于使用含有氧的气体而形成的等离子体中，而在所述p型半导体区域的表层部形成具有Si-O键的表层内部区域；层形成工序，在所述表层内部区域上形成钝化层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法以及具备一个以上的太阳能电池元件的太阳能电池模块。
技术介绍
在具备硅基板的太阳能电池元件中，为了减少载体的再结合，而将钝化膜设置在硅基板的表面上。作为该钝化膜的材料，研究了使用氮化硅膜(例如，参照日本特开2009-21358 号公报)。然而，根据钝化膜与硅基板的界面状态而存在无法充分地获得钝化效果的可能 性。另外，在导电型为P型的硅基板上形成有氮化硅膜的情况下，由于通常的氮化硅膜具有正的固定电荷，因此在硅基板与氮化硅膜的界面上产生能带向少数载体增大的方向弯曲的现象(能带弯曲)。因此，存在无法充分地减少载体的再结合而使太阳能电池元件的短路电流及开路电压降低、进而太阳能电池元件的光电转换效率降低的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种减少载体的再结合来提高光电转换效率的太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池模块。本专利技术的一方式涉及的太阳能电池元件是具备具有P型半导体区域的半导体基体的太阳能电池元件，其中，所述P型半导体区域在其表层部设有具有Si-O键的表层内部区域，在该表层内部区域上设有钝化层。另外，本专利技术的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：古茂田学，岩目地和明，藤本和良，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：
国别省市：