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本发明公开了一种形成硫化物半导体膜的方法及一种包含此硫化物半导体膜的太阳能电池的制作方法。形成硫化物半导体膜的方法包含涂布一层前驱物溶液于一基板上，以及进行一回火工艺，使此层前驱物溶液形成硫化物半导体膜。其中，此前驱物溶液包含溶剂、金属硫化...
该专利属于旺能光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺能光电股份有限公司授权不得商用。

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