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光生伏打电池制造。本发明公开了一种制造至少一个半导体光生伏打电池或模块以及用于对半导体材料进行分类的方法（300）。所述方法涉及到在所述制造工艺的多个阶段（312－324）当中的每一个阶段对晶片进行发光成像，以及把获得自关于相同晶片的所述成...
该专利属于BT成像股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过BT成像股份有限公司授权不得商用。

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