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本发明涉及一种双面外延生长GaAs三结太阳能电池的制备方法，包括在GaAs衬底一面依次外延生长GaAs缓冲层Inx(AlyGa1-y)1-xAs渐变层和第一结InxGa1-xAs电池；在GaAs衬底另一面依次外延生长GaAs缓冲层、第一隧穿...该专利属于天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。